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EID=173968EID:173968, Map:0, LastModified:2009年12月15日(火) 12:55:30, Operator:[山田 美緒], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[敖 金平], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
種別 (必須): 国内講演発表 [継承]
言語 (必須): 日本語 [継承]
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カテゴリ (推奨):
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学究種別 (推奨):
組織 (推奨): 1.応用物理学会 [継承]
著者 (必須): 1.大野 泰夫
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2. (英) (日) 山岡 優哉 (読)
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学籍番号 (推奨):
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3. (英) (日) 岡田 政也 (読)
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学籍番号 (推奨):
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4. (英) (日) 胡 成余 (読)
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学籍番号 (推奨):
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5.敖 金平 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
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学籍番号 (推奨):
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題名 (必須): (英)   (日) ゲートストレスバイアスによるAlGaN/GaN MIS HFETの電流コラプス評価   [継承]
副題 (任意):
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キーワード (推奨): 1. (英) (日) 電流コラプス (読) [継承]
2. (英) (日) AlGaN/GaN MIS HFET (読) [継承]
3. (英) (日) ゲートストレスバイアス (読) [継承]
発行所 (推奨): 応用物理学会 [継承]
誌名 (必須): (英) (日) 第68回応用物理学会学術講演会 (読)
ISSN (任意):
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都市 (必須): 札幌 (Sapporo/[日本国]) [継承]
年月日 (必須): 西暦 2007年 9月 4日 (平成 19年 9月 4日) [継承]
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和文冊子 ● 大野 泰夫, 山岡 優哉, 岡田 政也, 胡 成余, 敖 金平 : ゲートストレスバイアスによるAlGaN/GaN MIS HFETの電流コラプス評価, 第68回応用物理学会学術講演会, 2007年9月.
欧文冊子 ● Yasuo Ohno, 山岡 優哉, 岡田 政也, 胡 成余 and Jin-Ping Ao : ゲートストレスバイアスによるAlGaN/GaN MIS HFETの電流コラプス評価, 第68回応用物理学会学術講演会, Sep. 2007.

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Number of session users = 0, LA = 0.58, Max(EID) = 382137, Max(EOID) = 1020783.