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登録内容 (EID=173252)

EID=173252EID:173252, Map:0, LastModified:2009年11月10日(火) 15:20:36, Operator:[山田 美緒], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[直井 美貴], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
種別 (必須): その他·研究会 [継承]
言語 (必須): 英語 [継承]
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組織 (推奨): 1.知的材料システム (2006年4月1日〜2016年3月31日) [継承]
2.量子物質科学 (2006年4月1日〜2016年3月31日) [継承]
著者 (必須): 1. (英) Matsuoka R (日) (読)
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2. (英) Ikeda K (日) (読)
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学籍番号 (推奨):
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3.西野 克志 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
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学籍番号 (推奨):
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4.直井 美貴 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.ポストLEDフォトニクス研究所]/[徳島大学.創成科学研究科.理工学専攻.電気電子システムコース(創成科学研究科).物性デバイス講座(創成科学研究科)]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座]/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.電気電子創生工学コース.物性デバイス講座]/[徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座])
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5.酒井 士郎
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学籍番号 (推奨):
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題名 (必須): (英) Chracterization of a-plane MOCVD-grown GaN on off-angle r-plane sapphire substrates  (日)    [継承]
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発行所 (推奨):
誌名 (必須): (英) 26th Electronic Materials Symposium (EMS-26) (日) (読)
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(必須): E12 [継承]
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都市 (必須): 大津 (Otsu/[日本国]) [継承]
年月日 (必須): 西暦 2007年 7月 5日 (平成 19年 7月 5日) [継承]
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和文冊子 ● R Matsuoka, K Ikeda, Katsushi Nishino, Yoshiki Naoi and Shiro Sakai : Chracterization of a-plane MOCVD-grown GaN on off-angle r-plane sapphire substrates, 26th Electronic Materials Symposium (EMS-26), Vol.E12, July 2007.
欧文冊子 ● R Matsuoka, K Ikeda, Katsushi Nishino, Yoshiki Naoi and Shiro Sakai : Chracterization of a-plane MOCVD-grown GaN on off-angle r-plane sapphire substrates, 26th Electronic Materials Symposium (EMS-26), Vol.E12, July 2007.

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