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登録内容 (EID=173205)

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種別 (必須): 学術レター (ショートペーパー) [継承]
言語 (必須): 英語 [継承]
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組織 (推奨): 1.量子物質科学 (2006年4月1日〜2016年3月31日) [継承]
2.知的材料システム (2006年4月1日〜2016年3月31日) [継承]
著者 (必須): 1. (英) Yamamoto M (日) (読)
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学籍番号 (推奨):
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2. (英) Hamazaki Y (日) (読)
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学籍番号 (推奨):
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3. (英) Tsukihara M (日) (読)
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学籍番号 (推奨):
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4.直井 美貴 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.ポストLEDフォトニクス研究所]/[徳島大学.創成科学研究科.理工学専攻.電気電子システムコース(創成科学研究科).物性デバイス講座(創成科学研究科)]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座]/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.電気電子創生工学コース.物性デバイス講座]/[徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座])
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学籍番号 (推奨):
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5.西野 克志 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
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学籍番号 (推奨):
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6.酒井 士郎
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学籍番号 (推奨):
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題名 (必須): (英) Growth of AlN and GaN by metalorganic chemical vapor deposition on BP synthesized by flux method  (日)    [継承]
副題 (任意):
要約 (任意): (英) BP with the size of 50 μm to 3 mm was synthesized by the Cu flux method. The BP crystals have a zincblend structure, and the lattice constant and the cathodoluminescence peak wavelength were 4.557 Å and 370 nm, respectively. GaN and AlN were grown by metalorganic chemical vapor deposition on BP. It was found that AlN grown at 1150 °C on (100)BP was grown smoothly but that grown on (111)BP had a rough surface. GaN, however, was irregularly grown on both (100) and (111)BP. It was demonstrated that AlN on (100)BP is another candidate as a substrate for a UV-light-emitting diode.  (日)    [継承]
キーワード (推奨): 1. (英) AlN (日) (読) [継承]
2. (英) GaN (日) (読) [継承]
3. (英) MOCVD (日) (読) [継承]
4. (英) BP (日) (読) [継承]
5. (英) flux method (日) (読) [継承]
発行所 (推奨): (英) INSTITUTE OF PURE AND APPLIED PHYSICS (日) Japan Society of Applied Physics (読) [継承]
誌名 (必須): Japanese Journal of Applied Physics, Part 2 (Letters) ([応用物理学会])
ISSN (任意):
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(必須): 46 [継承]
(必須): 14 [継承]
(必須): L323 L325 [継承]
都市 (任意):
年月日 (必須): 西暦 2007年 5月 初日 (平成 19年 5月 初日) [継承]
URL (任意): http://ci.nii.ac.jp/naid/150000014248/ [継承]
DOI (任意): 10.1143/JJAP.46.L323    (→Scopusで検索) [継承]
PMID (任意):
NAID (任意): 210000063916 [継承]
WOS (任意):
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被引用数 (任意):
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標準的な表示

和文冊子 ● M Yamamoto, Y Hamazaki, M Tsukihara, Yoshiki Naoi, Katsushi Nishino and Shiro Sakai : Growth of AlN and GaN by metalorganic chemical vapor deposition on BP synthesized by flux method, Japanese Journal of Applied Physics, Part 2 (Letters), Vol.46, No.14, L323-L325, 2007.
欧文冊子 ● M Yamamoto, Y Hamazaki, M Tsukihara, Yoshiki Naoi, Katsushi Nishino and Shiro Sakai : Growth of AlN and GaN by metalorganic chemical vapor deposition on BP synthesized by flux method, Japanese Journal of Applied Physics, Part 2 (Letters), Vol.46, No.14, L323-L325, 2007.

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