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登録内容 (EID=173203)

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種別 (必須): 学術論文 (審査論文) [継承]
言語 (必須): 英語 [継承]
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共著種別 (推奨):
学究種別 (推奨):
組織 (推奨): 1.大学院ソシオテクノサイエンス研究部.先進物質材料部門 (2006年4月1日〜) [継承]
2.徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座 [継承]
著者 (必須): 1. (英) Tsukihara M (日) (読)
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2. (英) Sumiyoshi K (日) (読)
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学籍番号 (推奨):
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3. (英) Okimoto T (日) (読)
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学籍番号 (推奨):
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4. (英) Kataoka K (日) (読)
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学籍番号 (推奨):
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5. (英) Kawamichi S (日) (読)
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学籍番号 (推奨):
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6.西野 克志 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
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学籍番号 (推奨):
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7.直井 美貴 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.ポストLEDフォトニクス研究所]/[徳島大学.創成科学研究科.理工学専攻.電気電子システムコース(創成科学研究科).物性デバイス講座(創成科学研究科)]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座]/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.電気電子創生工学コース.物性デバイス講座]/[徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座])
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学籍番号 (推奨):
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8.酒井 士郎
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題名 (必須): (英) Effect of middletemperature intermediate layer on crystal quality of AlGaN grown on sapphire substrates by metal organic chemical vapor deposition  (日)    [継承]
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要約 (任意):
キーワード (推奨):
発行所 (推奨):
誌名 (必須): Journal of Crystal Growth ([Elsevier])
(pISSN: 0022-0248)

ISSN (任意): 0022-0248
ISSN: 0022-0248 (pISSN: 0022-0248)
Title: Journal of crystal growth
Title(ISO): J Cryst Growth
Publisher: Elsevier BV
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(必須): 300 [継承]
(必須): 1 [継承]
(必須): 190 193 [継承]
都市 (任意):
年月日 (必須): 西暦 2007年 3月 初日 (平成 19年 3月 初日) [継承]
URL (任意):
DOI (任意): 10.1016/j.jcrysgro.2006.11.011    (→Scopusで検索) [継承]
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被引用数 (任意):
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標準的な表示

和文冊子 ● M Tsukihara, K Sumiyoshi, T Okimoto, K Kataoka, S Kawamichi, Katsushi Nishino, Yoshiki Naoi and Shiro Sakai : Effect of middletemperature intermediate layer on crystal quality of AlGaN grown on sapphire substrates by metal organic chemical vapor deposition, Journal of Crystal Growth, Vol.300, No.1, 190-193, 2007.
欧文冊子 ● M Tsukihara, K Sumiyoshi, T Okimoto, K Kataoka, S Kawamichi, Katsushi Nishino, Yoshiki Naoi and Shiro Sakai : Effect of middletemperature intermediate layer on crystal quality of AlGaN grown on sapphire substrates by metal organic chemical vapor deposition, Journal of Crystal Growth, Vol.300, No.1, 190-193, 2007.

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