| ○種別 (必須): | □ | 先端技術科学教育部 (授業概要)
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| ○入学年度 (必須): | □ | 西暦 2008年 (平成 20年)
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| ○名称 (必須): | □ | (英) Advanced Lecture on Semiconductor Nanotechnology (日) 半導体ナノテクノロジー特論 (読) はんどうたいなのてくのろじーとくろん
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| ○形態 (推奨): | 1. | 講義
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| ○コース (必須): | 1. | 2008/[徳島大学.先端技術科学教育部.知的力学システム工学専攻.機械創造システム工学コース]/[博士前期課程]
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| 2. | 2008/[徳島大学.先端技術科学教育部.環境創生工学専攻.化学機能創生コース]/[博士前期課程]
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| 3. | 2008/[徳島大学.先端技術科学教育部.環境創生工学専攻.生命テクノサイエンスコース]/[博士前期課程]
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| 4. | 2008/[徳島大学.先端技術科学教育部.環境創生工学専攻.エコシステム工学コース]/[博士前期課程]
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| 5. | 2008/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.電気電子創生工学コース]/[博士前期課程]
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| 6. | 2008/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.光システム工学コース]/[博士前期課程]
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| ○担当教員 (必須): | 1. | 井須 俊郎
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| 2. | 北田 貴弘 (->個人[塚越 貴弘])
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| ○単位 (必須): | □ | 2
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| ○目的 (必須): | □ | (英) This class introduces basic principles of the semiconductor nanotechnology and their application to the quantum devices. (日) 半導体ナノテクノロジーにより生み出される新規な特性についてその源となる基本的な物理概念とともに工学応用に対する課題を理解させる．
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| ○概要 (必須): | □ | (英) Basics of semiconductor physics and quantum mechanics are introduced to understand material properties of quantum confined nanostructures. Recent progress in fabrication techniques and device applications of semiconductor nanostructures (quantum wells, wires and dots) will be reviewed. (日) 半導体物理学，量子力学に基づき，ナノサイズの量子構造半導体の基本的な特徴を理解し，それらのデバイス応用における課題点を説明する．量子井戸構造，量子細線構造，量子ドット構造などの作製手法とそれらを使ったデバイスについて解説し，単一量子ドットの応用に向けた先端的研究や最近のナノテクノロジー研究の話題について述べる．
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| ○キーワード (推奨): | 1. | (英) quantum confined nanostructures (日) ナノ量子構造 (読)
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| 2. | (英) semiconductor nanoscience (日) 半導体ナノ物性 (読)
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| 3. | (英) electron devices (日) 電子デバイス (読)
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| 4. | (英) photonic devices (日) 光デバイス (読)
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| ○先行科目 (推奨): |
| ○関連科目 (推奨): |
| ○要件 (任意): | □ | (英) None. (日) 特になし
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| ○注意 (任意): | □ | (英) None. (日) 特になし
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| ○目標 (必須): | 1. | (英) To understand basic properties of semiconductor nanostructures and quantum devices. (日) 半導体ナノ構造の物性とそのデバイス応用を理解する．
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| ○計画 (必須): | 1. | (英) Introduction to semiconductor nanostructures (日) 半導体ナノ構造の特徴
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| 2. | (英) Electronic states in quantum confined structures (日) 量子閉じ込め構造の電子状態
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| 3. | (英) Electrical properties of superlattices (日) 超格子の電子物性
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| 4. | (英) Fabrication technique of quantum wires and wells (日) 量子細線・量子井戸の作製方法
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| 5. | (英) Characterization of heterointerfaces (日) ヘテロ界面の評価
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| 6. | (英) Characterization of nanostructures (日) ナノ構造の評価法
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| 7. | (英) High-speed electron devices (日) 超高速電子デバイス
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| 8. | (英) Optical properties of quantum wells (日) 量子井戸の光学的性質
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| 9. | (英) Semiconductor laser diodes (日) 半導体レーザ
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| 10. | (英) Quantum effect devices (日) 量子効果デバイス
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| 11. | (英) Fabrication technique of quantum dots (日) 量子ドットの作製法
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| 12. | (英) Quantum dot devices (日) 量子ドットのデバイス応用
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| 13. | (英) Device application of quantum nano structures (日) 量子ナノ構造のデバイス応用
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| 14. | (英) Recent topics of semiconductor nanotechnology (1) (日) 半導体ナノテクノロジーの最近の話題(1)
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| 15. | (英) Recent topics of semiconductor nanotechnology (2) (日) 半導体ナノテクノロジーの最近の話題(2)
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| ○評価 (必須): | □ | (英) Assignments count 100% (日) レポートで評価
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| ○再評価 (必須): |
| ○対象学生 (任意): | □ | (英) Any students can attend the class. (日) 関心のある学生は誰でも受講可．
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| ○教科書 (必須): | 1. | (英) None. (日) 特になし．
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| ○参考資料 (推奨): | 1. | (英) Will be introduced in the class. (日) 教室で紹介する．
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| ○URL (任意): |
| ○連絡先 (推奨): | 1. | 井須 俊郎
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| 2. | 北田 貴弘 (->個人[塚越 貴弘])
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| ○科目コード (推奨): |
| ○備考 (任意): |
【授業概要】(2007/半導体ナノテクノロジー特論)
【教育プログラム】…(12)