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登録内容 (EID=16855)

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種別 (必須): 学術論文 (審査論文) [継承]
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組織 (推奨): 1.徳島大学.サテライトベンチャービジネスラボラトリ (〜2005年3月31日) [継承]
2.徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座 [継承]
著者 (必須): 1. (英) Fareed Qhalid (日) (読)
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学籍番号 (推奨):
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2. (英) Tottori Satoru (日) 鳥取 悟 (読) とっとり さとる
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学籍番号 (推奨):
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3.西野 克志 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
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学籍番号 (推奨):
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4.酒井 士郎
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学籍番号 (推奨):
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題名 (必須): (英) Surface morphology studies on sublimation grown bulk GaN by atomic force microscopy  (日)    [継承]
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発行所 (推奨):
誌名 (必須): Journal of Crystal Growth ([Elsevier])
(resolved by 0022-0248)
ISSN: 0022-0248 (pISSN: 0022-0248)
Title: Journal of crystal growth
Title(ISO): J Cryst Growth
Publisher: Elsevier BV
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ISSN (任意):
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(必須): 200 [継承]
(必須): 3-4 [継承]
(必須): 348 352 [継承]
都市 (任意):
年月日 (必須): 西暦 1999年 4月 1日 (平成 11年 4月 1日) [継承]
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和文冊子 ● Qhalid Fareed, Satoru Tottori, Katsushi Nishino and Shiro Sakai : Surface morphology studies on sublimation grown bulk GaN by atomic force microscopy, Journal of Crystal Growth, Vol.200, No.3-4, 348-352, 1999.
欧文冊子 ● Qhalid Fareed, Satoru Tottori, Katsushi Nishino and Shiro Sakai : Surface morphology studies on sublimation grown bulk GaN by atomic force microscopy, Journal of Crystal Growth, Vol.200, No.3-4, 348-352, 1999.

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