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登録内容 (EID=16852)

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種別 (必須): 学術論文 (審査論文) [継承]
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組織 (推奨): 1.徳島大学.サテライトベンチャービジネスラボラトリ (〜2005年3月31日) [継承]
2.徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座 [継承]
著者 (必須): 1. (英) Basak Durga (日) (読)
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学籍番号 (推奨):
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2. (英) Yamashita Kenji (日) 山下 憲二 (読) やました けんじ
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学籍番号 (推奨):
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3. (英) Sugahara Tomoya (日) 菅原 智也 (読) すがはら ともや
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学籍番号 (推奨):
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4. (英) Fareed Qhalid (日) (読)
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学籍番号 (推奨):
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5. (英) Nakagawa Daisuke (日) 中川 大輔 (読) なかがわ だいすけ
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学籍番号 (推奨):
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6.西野 克志 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
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学籍番号 (推奨):
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7.酒井 士郎
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学籍番号 (推奨):
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題名 (必須): (英) Reactive ion etching of GaN and AlxGa1-xN using Cl2/CH4/Ar plasma  (日)    [継承]
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誌名 (必須): Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers & Short Notes) ([応用物理学会])
(resolved by 0021-4922)
ISSN: 0021-4922 (pISSN: 0021-4922, eISSN: 1347-4065)
Title: Japanese journal of applied physics (2008)
Title(ISO): Jpn J Appl Phys (2008)
Supplier: 社団法人応用物理学会
Publisher: Japan Society of Applied Physics
 (NLM Catalog  (Webcat Plus  (Webcat Plus  (Webcat Plus  (Scopus  (Scopus  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])
(resolved by 1347-4065)
ISSN: 0021-4922 (pISSN: 0021-4922, eISSN: 1347-4065)
Title: Japanese journal of applied physics (2008)
Title(ISO): Jpn J Appl Phys (2008)
Supplier: 社団法人応用物理学会
Publisher: Japan Society of Applied Physics
 (NLM Catalog  (Webcat Plus  (Webcat Plus  (Webcat Plus  (Scopus  (Scopus  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])

ISSN (任意):
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(必須): 38 [継承]
(必須): 4B [継承]
(必須): 2646 2651 [継承]
都市 (任意):
年月日 (必須): 西暦 1999年 4月 30日 (平成 11年 4月 30日) [継承]
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標準的な表示

和文冊子 ● Durga Basak, Kenji Yamashita, Tomoya Sugahara, Qhalid Fareed, Daisuke Nakagawa, Katsushi Nishino and Shiro Sakai : Reactive ion etching of GaN and AlxGa1-xN using Cl2/CH4/Ar plasma, Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers & Short Notes), Vol.38, No.4B, 2646-2651, 1999.
欧文冊子 ● Durga Basak, Kenji Yamashita, Tomoya Sugahara, Qhalid Fareed, Daisuke Nakagawa, Katsushi Nishino and Shiro Sakai : Reactive ion etching of GaN and AlxGa1-xN using Cl2/CH4/Ar plasma, Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers & Short Notes), Vol.38, No.4B, 2646-2651, 1999.

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