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登録内容 (EID=16849)

EID=16849EID:16849, Map:0, LastModified:2005年3月15日(火) 16:22:08, Operator:[富永 喜久雄], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[西野 克志], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
種別 (必須): 学術論文 (審査論文) [継承]
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学究種別 (推奨):
組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座 [継承]
2.サテライトベンチャービジネスラボラトリ (〜2005年3月31日) [継承]
著者 (必須): 1. (英) Wang Xing Hong (日) (読)
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学籍番号 (推奨):
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2. (英) Wang Tao (日) (読)
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学籍番号 (推奨):
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3. (英) Lachab Mohamed (日) (読)
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学籍番号 (推奨):
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4. (英) Ishikawa Yasuhiro (日) 石川 泰弘 (読) いしかわ やすひろ
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学籍番号 (推奨):
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5. (英) Hao Maosheng (日) (読)
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学籍番号 (推奨):
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6. (英) Oyama Koichi (日) 小山 晃一 (読) おやま こういち
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学籍番号 (推奨):
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7.西野 克志 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
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学籍番号 (推奨):
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8.酒井 士郎
役割 (任意):
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学籍番号 (推奨):
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9.富永 喜久雄
役割 (任意): 共著 [継承]
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学籍番号 (推奨):
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題名 (必須): (英) Growth of a GaN layer on a glass substrate by metal organic chemical vapor deposition  (日)    [継承]
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発行所 (推奨):
誌名 (必須): Journal of Crystal Growth ([Elsevier])
(resolved by 0022-0248)
ISSN: 0022-0248 (pISSN: 0022-0248)
Title: Journal of crystal growth
Title(ISO): J Cryst Growth
Publisher: Elsevier BV
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ISSN (任意):
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(必須): 206 [継承]
(必須): 3 [継承]
(必須): 241 244 [継承]
都市 (任意):
年月日 (必須): 西暦 1999年 10月 1日 (平成 11年 10月 1日) [継承]
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和文冊子 ● Hong Xing Wang, Tao Wang, Mohamed Lachab, Yasuhiro Ishikawa, Maosheng Hao, Koichi Oyama, Katsushi Nishino, Shiro Sakai and Kikuo Tominaga : Growth of a GaN layer on a glass substrate by metal organic chemical vapor deposition, Journal of Crystal Growth, Vol.206, No.3, 241-244, 1999.
欧文冊子 ● Hong Xing Wang, Tao Wang, Mohamed Lachab, Yasuhiro Ishikawa, Maosheng Hao, Koichi Oyama, Katsushi Nishino, Shiro Sakai and Kikuo Tominaga : Growth of a GaN layer on a glass substrate by metal organic chemical vapor deposition, Journal of Crystal Growth, Vol.206, No.3, 241-244, 1999.

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