○種別 (必須): | □ | 学術論文 (審査論文)
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○言語 (必須): |
○招待 (推奨): |
○審査 (推奨): |
○カテゴリ (推奨): |
○共著種別 (推奨): |
○学究種別 (推奨): |
○組織 (推奨): | 1. | 徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座
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| 2. | 徳島大学.サテライトベンチャービジネスラボラトリ (〜2005年3月31日)
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○著者 (必須): | 1. | (英) Wang Xing Hong (日) (読)
○役割 (任意): |
○貢献度 (任意): |
○学籍番号 (推奨): |
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| 2. | (英) Wang Tao (日) (読)
○役割 (任意): |
○貢献度 (任意): |
○学籍番号 (推奨): |
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| 3. | (英) Lachab Mohamed (日) (読)
○役割 (任意): |
○貢献度 (任意): |
○学籍番号 (推奨): |
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| 4. | (英) Ishikawa Yasuhiro (日) 石川 泰弘 (読) いしかわ やすひろ
○役割 (任意): |
○貢献度 (任意): |
○学籍番号 (推奨): |
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| 5. | (英) Hao Maosheng (日) (読)
○役割 (任意): |
○貢献度 (任意): |
○学籍番号 (推奨): |
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| 6. | (英) Oyama Koichi (日) 小山 晃一 (読) おやま こういち
○役割 (任意): |
○貢献度 (任意): |
○学籍番号 (推奨): |
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| 7. | 西野 克志 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
○役割 (任意): |
○貢献度 (任意): |
○学籍番号 (推奨): |
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| 8. | 酒井 士郎
○役割 (任意): |
○貢献度 (任意): |
○学籍番号 (推奨): |
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| 9. | 富永 喜久雄
○役割 (任意): | □ | 共著
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○貢献度 (任意): |
○学籍番号 (推奨): |
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○題名 (必須): | □ | (英) Growth of a GaN layer on a glass substrate by metal organic chemical vapor deposition (日)
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○副題 (任意): |
○要約 (任意): |
○キーワード (推奨): |
○発行所 (推奨): |
○誌名 (必須): | □ | Journal of Crystal Growth ([Elsevier])
(resolved by 0022-0248) ISSN: 0022-0248
(pISSN: 0022-0248) Title: Journal of crystal growth Title(ISO): J Cryst Growth Publisher: Elsevier BV (NLM Catalog)
(Scopus)
(CrossRef)
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○巻 (必須): | □ | 206
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○号 (必須): | □ | 3
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○頁 (必須): | □ | 241 244
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○都市 (任意): |
○年月日 (必須): | □ | 西暦 1999年 10月 1日 (平成 11年 10月 1日)
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○URL (任意): |
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