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登録内容 (EID=16847)

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種別 (必須): 国際会議 [継承]
言語 (必須): 英語 [継承]
招待 (推奨):
審査 (推奨): Peer Review [継承]
カテゴリ (推奨): 研究 [継承]
共著種別 (推奨):
学究種別 (推奨):
組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座 [継承]
2.電気電子工学専攻 (〜2011年3月31日) [継承]
3.徳島大学.工学部 [継承]
4.機械工学専攻 (〜2011年3月31日) [継承]
5.徳島大学.工学部.機械工学科.生産システム講座 [継承]
6.徳島大学.工学部.機械工学科.生産システム講座 [継承]
著者 (必須): 1.富永 喜久雄
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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2. (英) Sato Yoshifumi (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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3. (英) Mori Ichiro (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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4. (英) Furutani Kouhei (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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5.日下 一也 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.機械科学系.生産工学分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.機械科学コース.生産工学講座])
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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6.英 崇夫
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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題名 (必須): (英) InN film deposition by planar magnetron sputtering  (日)    [継承]
副題 (任意):
要約 (任意): (英)   (日) 本論文は,ガラス基板上にRFプレーナマグネトロンスパッタリング法により生成したInN膜の結晶成長,表面形状,電気特性をX線回折,原子間力顕微鏡観察,Hall電圧特性,膜の抵抗特性の測定により観察したものである.作製した膜の結晶はすべてc軸配向を示していた.キャリア密度およびキャリア移動度を測定した.キャリア移動度は結晶粒径と共に増加したが,表面粗さの増大により移動度は減少した.   [継承]
キーワード (推奨):
発行所 (推奨):
誌名 (必須): (英) Proceedings of the Second International Conference on Advanced Materials Development & Performance Evaluation and Application (日) (読)
ISSN (任意):
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(必須):
(必須):
(必須): 474 477 [継承]
都市 (必須): 徳島 (Tokushima/[日本国]) [継承]
年月日 (必須): 西暦 1999年 11月 23日 (平成 11年 11月 23日) [継承]
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標準的な表示

和文冊子 ● Kikuo Tominaga, Yoshifumi Sato, Ichiro Mori, Kouhei Furutani, Kazuya Kusaka and Takao Hanabusa : InN film deposition by planar magnetron sputtering, Proceedings of the Second International Conference on Advanced Materials Development & Performance Evaluation and Application, (巻), (号), 474-477, Tokushima, Nov. 1999.
欧文冊子 ● Kikuo Tominaga, Yoshifumi Sato, Ichiro Mori, Kouhei Furutani, Kazuya Kusaka and Takao Hanabusa : InN film deposition by planar magnetron sputtering, Proceedings of the Second International Conference on Advanced Materials Development & Performance Evaluation and Application, (巻), (号), 474-477, Tokushima, Nov. 1999.

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