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登録内容 (EID=16832)

EID=16832EID:16832, Map:0, LastModified:2005年2月28日(月) 14:40:11, Operator:[西野 克志], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[西野 克志], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
○種別 (必須): □学術論文 (審査論文) [継承]
○言語 (必須):
○招待 (推奨):
○審査 (推奨):
○カテゴリ (推奨):
○共著種別 (推奨):
○学究種別 (推奨):
○組織 (推奨): 1.徳島大学.サテライトベンチャービジネスラボラトリ (〜2005年3月31日) [継承]
2.徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座 [継承]
○著者 (必須): 1. (英) Fareed Qhalid (日) (読)
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
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2. (英) Tottori Satoru (日) 鳥取 悟 (読) とっとり さとる
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
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3.稲岡 武
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
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4.西野 克志 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
○役割 (任意): □(英)   (日) 結晶成長の指導および結果の検討   [継承]
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
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5.酒井 士郎
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
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○題名 (必須): □(英) Dependence of growth conditions on morphology in lateral epitaxial overgrowth of GaN by sublimation method  (日)    [継承]
○副題 (任意):
○要約 (任意): □(英)   (日) 昇華法によるGaNの選択横方向成長について表面モホロジーと結晶品質の成長条件依存性を調べた．成長温度が上がるにつれて，選択的に成長したストライプの断面形状が三角形から長方形に変化する様子がSEMにより確認できた．またAFMによる観察の結果，ステップ成長により二次元成長することが示された．   [継承]
○キーワード (推奨):
○発行所 (推奨):
○誌名 (必須): □Journal of Crystal Growth ([Elsevier])
(resolved by 0022-0248)
ISSN: 0022-0248 (pISSN: 0022-0248)
Title: Journal of crystal growth
Title(ISO): J Cryst Growth
Publisher: Elsevier BV
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○ISSN (任意):
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○巻 (必須): □207 [継承]
○号 (必須): □3 [継承]
○頁 (必須): □174 178 [継承]
○都市 (任意):
○年月日 (必須): □西暦 1999年 12月 1日 (平成 11年 12月 1日) [継承]
○URL (任意):
○DOI (任意):
○PMID (任意):
○NAID (任意):
○WOS (任意):
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○評価値 (任意):
○被引用数 (任意):
○指導教員 (推奨):
○備考 (任意):

標準的な表示

和文冊子 ● Qhalid Fareed, Satoru Tottori, Takeshi Inaoka, Katsushi Nishino and Shiro Sakai : Dependence of growth conditions on morphology in lateral epitaxial overgrowth of GaN by sublimation method, Journal of Crystal Growth, Vol.207, No.3, 174-178, 1999.
欧文冊子 ● Qhalid Fareed, Satoru Tottori, Takeshi Inaoka, Katsushi Nishino and Shiro Sakai : Dependence of growth conditions on morphology in lateral epitaxial overgrowth of GaN by sublimation method, Journal of Crystal Growth, Vol.207, No.3, 174-178, 1999.

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