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登録内容 (EID=16813)

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種別 (必須): 学術論文 (審査論文) [継承]
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組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座 [継承]
2.サテライトベンチャービジネスラボラトリ (〜2005年3月31日) [継承]
著者 (必須): 1. (英) Lachab Mohamed (日) (読)
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学籍番号 (推奨):
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2. (英) Nozaki Masaaki (日) 野崎 雅章 (読) のざき まさあき
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学籍番号 (推奨):
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3. (英) Wang Jie (日) (読)
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学籍番号 (推奨):
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4. (英) Ishikawa Yasuhiro (日) 石川 泰弘 (読) いしかわ やすひろ
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学籍番号 (推奨):
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5. (英) Fareed Qhalid (日) (読)
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貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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6. (英) Wang Tao (日) (読)
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貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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7. (英) Nishikawa Tatsunori (日) 西川 竜紀 (読) にしかわ たつのり
役割 (任意):
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学籍番号 (推奨):
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8.西野 克志 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
役割 (任意): (英)   (日) FIBに関する指導および検討   [継承]
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学籍番号 (推奨):
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9.酒井 士郎
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学籍番号 (推奨):
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題名 (必須): (英) Selective fabrication of InGaN nanostructures by the focused ion beam/metalorganic chemical vapor deposition process  (日)    [継承]
副題 (任意):
要約 (任意): (英)   (日) サファイア基板上に成長したGaNをSIでコートし,部分的にFIBで窓を開けることにより選択的にInGaNナノ構造を作製した.ナノ構造はMOCVD法により作製したが,窓を開けた部分にのみInGaN/GaNが成長し,その先端部分に量子細線もしくは量子ドットが形成されていることをSEMやCLによって確認した.   [継承]
キーワード (推奨):
発行所 (推奨):
誌名 (必須): Journal of Applied Physics ([American Institute of Physics])
(resolved by 0021-8979)
ISSN: 0021-8979 (pISSN: 0021-8979, eISSN: 1089-7550)
Title: Journal of applied physics
Title(ISO): J Appl Phys
Publisher: American Institute of Physics
 (NLM Catalog  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])
(resolved by 1089-7550)
ISSN: 0021-8979 (pISSN: 0021-8979, eISSN: 1089-7550)
Title: Journal of applied physics
Title(ISO): J Appl Phys
Publisher: American Institute of Physics
 (NLM Catalog  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])

ISSN (任意):
[継承]
(必須): 87 [継承]
(必須): 3 [継承]
(必須): 1374 1378 [継承]
都市 (任意):
年月日 (必須): 西暦 2000年 2月 1日 (平成 12年 2月 1日) [継承]
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標準的な表示

和文冊子 ● Mohamed Lachab, Masaaki Nozaki, Jie Wang, Yasuhiro Ishikawa, Qhalid Fareed, Tao Wang, Tatsunori Nishikawa, Katsushi Nishino and Shiro Sakai : Selective fabrication of InGaN nanostructures by the focused ion beam/metalorganic chemical vapor deposition process, Journal of Applied Physics, Vol.87, No.3, 1374-1378, 2000.
欧文冊子 ● Mohamed Lachab, Masaaki Nozaki, Jie Wang, Yasuhiro Ishikawa, Qhalid Fareed, Tao Wang, Tatsunori Nishikawa, Katsushi Nishino and Shiro Sakai : Selective fabrication of InGaN nanostructures by the focused ion beam/metalorganic chemical vapor deposition process, Journal of Applied Physics, Vol.87, No.3, 1374-1378, 2000.

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