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登録内容 (EID=16726)

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種別 (必須): 学術論文 (審査論文) [継承]
言語 (必須): 英語 [継承]
招待 (推奨):
審査 (推奨): Peer Review [継承]
カテゴリ (推奨): 研究 [継承]
共著種別 (推奨):
学究種別 (推奨):
組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座 [継承]
著者 (必須): 1.富永 喜久雄
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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2. (英) Sato Yoshifumi (日) (読)
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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3. (英) Mori Ichiro (日) (読)
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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4.日下 一也 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.機械科学系.生産工学分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.機械科学コース.生産工学講座])
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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5.英 崇夫
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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題名 (必須): (英) Influence of target shape on properties of AlN sputtered film  (日)    [継承]
副題 (任意):
要約 (任意): (英) AlN films were deposited by reactive magnetron sputtering with a roof-shaped Al target and conventional planar target. The c-axis orientation and the grain growth of AlN films were improved and the defects in the film were decreased, when the ion flux bombarding the film decreased. This trend was confirmed by depositing AlN films under various N2 gas pressures or external magnetic fields. These data indicate that there remains a considerable influence of ion bombardment in conventional planar magnetron sputtering, but the use of a roof-type target is effective for decreasing the exposure of the film to plasma as a result of a decrease in ion bombardment.  (日) 屋根型アルミニウムターゲットおよび従来型平板ターゲットを有する反応性スパッタリングによりAlN膜を堆積した.膜に衝突するイオン流が減少したとき,c軸配向性およびAlN膜の粒成長は向上し,膜中の欠陥が減少する.この傾向はいろいろなN2ガス圧や磁場でAlN膜を堆積させることで確認される.これらのデータは,従来型平板マグネトロンスパッタリングではイオン衝撃の影響を残すが,屋根型ターゲットの使用はイオン衝撃の軽減の結果として膜のプラズマ露光を減少させる効果があることを示す.   [継承]
キーワード (推奨):
発行所 (推奨):
誌名 (必須): Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers & Short Notes) ([応用物理学会])
(resolved by 0021-4922)
ISSN: 0021-4922 (pISSN: 0021-4922, eISSN: 1347-4065)
Title: Japanese journal of applied physics (2008)
Title(ISO): Jpn J Appl Phys (2008)
Supplier: 社団法人応用物理学会
Publisher: Japan Society of Applied Physics
 (NLM Catalog  (Webcat Plus  (Webcat Plus  (Webcat Plus  (Scopus  (Scopus  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])
(resolved by 1347-4065)
ISSN: 0021-4922 (pISSN: 0021-4922, eISSN: 1347-4065)
Title: Japanese journal of applied physics (2008)
Title(ISO): Jpn J Appl Phys (2008)
Supplier: 社団法人応用物理学会
Publisher: Japan Society of Applied Physics
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ISSN (任意):
[継承]
(必須): 37 [継承]
(必須):
(必須): 5224 5226 [継承]
都市 (任意):
年月日 (必須): 西暦 1998年 7月 1日 (平成 10年 7月 1日) [継承]
URL (任意):
DOI (任意):
PMID (任意):
NAID (任意):
WOS (任意):
Scopus (任意):
評価値 (任意):
被引用数 (任意):
指導教員 (推奨):
備考 (任意):

標準的な表示

和文冊子 ● Kikuo Tominaga, Yoshifumi Sato, Ichiro Mori, Kazuya Kusaka and Takao Hanabusa : Influence of target shape on properties of AlN sputtered film, Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers & Short Notes), Vol.37, (号), 5224-5226, 1998.
欧文冊子 ● Kikuo Tominaga, Yoshifumi Sato, Ichiro Mori, Kazuya Kusaka and Takao Hanabusa : Influence of target shape on properties of AlN sputtered film, Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers & Short Notes), Vol.37, (号), 5224-5226, 1998.

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