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登録内容 (EID=16717)

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種別 (必須): 学術論文 (審査論文) [継承]
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組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座 [継承]
2.徳島大学.工学部.化学応用工学科.化学プロセス工学講座 [継承]
著者 (必須): 1.富永 喜久雄
役割 (任意): 共著 [継承]
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学籍番号 (推奨):
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2. (英) Umezu Norio (日) (読)
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学籍番号 (推奨):
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3. (英) Mori Ichiro (日) (読)
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貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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4. (英) Ushiro Tomoko (日) (読)
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学籍番号 (推奨):
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5.森賀 俊広 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.応用化学系.化学プロセス工学分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.応用化学システムコース.化学プロセス工学講座])
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6.中林 一朗
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題名 (必須): (英) Properties of ZnO:In Film prepared by sputtering of Facing ZnO:In and Zn targets  (日)    [継承]
副題 (任意):
要約 (任意): (英)   (日) 透明導電膜であるインジウム添加の酸化亜鉛膜も多く研究されているが,本論文では,対向ターゲット式プレーナマグネトロンスパッタ装置でZnO:In膜を作製するとき,In2O3=1.5, 3, 9 wt%の3種のターゲットから等価的にInの添加量を変えた.キャリア密度nは3wt%の時に達成された.n=kCD-NAの実験結果が得られた.NAは欠陥密度といえる.NA=4x1020cm-3とかなり大きいことがわかった.また,キャリア密度は作製時の基板温度が150℃で最高値を示し,300℃では急激なnの過低下を示した.Inの蒸発が予想された.また,Znの過剰供給の条件でZnO:In膜作製を行っても,ほとんど抵抗率への影響は見られなかった.ZnO:Al膜とは異なる.これは,Znの過剰添加によってもInのドナーになる効率は上昇しないことによる.すなわち,ZnO:Inでは,すでにすべての添加されたInがドナーになっているためであると考えられる.   [継承]
キーワード (推奨):
発行所 (推奨):
誌名 (必須): Journal of Vacuum Science & Technology A (American Vacuum Society/[American Institute of Physics])
(resolved by 0734-2101)
ISSN: 0734-2101 (pISSN: 0734-2101, eISSN: 1520-8559)
Title: Journal of vacuum science & technology. A, Vacuum, surfaces, and films : an official journal of the American Vacuum Society
Title(ISO): J Vac Sci Technol A
Publisher: American Institute of Physics
 (NLM Catalog  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])
(resolved by 1520-8559)
ISSN: 0734-2101 (pISSN: 0734-2101, eISSN: 1520-8559)
Title: Journal of vacuum science & technology. A, Vacuum, surfaces, and films : an official journal of the American Vacuum Society
Title(ISO): J Vac Sci Technol A
Publisher: American Institute of Physics
 (NLM Catalog  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])

ISSN (任意):
[継承]
(必須): A16 [継承]
(必須): 3 [継承]
(必須): 1213 1217 [継承]
都市 (任意):
年月日 (必須): 西暦 1998年 9月 1日 (平成 10年 9月 1日) [継承]
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WOS (任意):
Scopus (任意):
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指導教員 (推奨):
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標準的な表示

和文冊子 ● Kikuo Tominaga, Norio Umezu, Ichiro Mori, Tomoko Ushiro, Toshihiro Moriga and Ichiro Nakabayashi : Properties of ZnO:In Film prepared by sputtering of Facing ZnO:In and Zn targets, Journal of Vacuum Science & Technology A, Vol.A16, No.3, 1213-1217, 1998.
欧文冊子 ● Kikuo Tominaga, Norio Umezu, Ichiro Mori, Tomoko Ushiro, Toshihiro Moriga and Ichiro Nakabayashi : Properties of ZnO:In Film prepared by sputtering of Facing ZnO:In and Zn targets, Journal of Vacuum Science & Technology A, Vol.A16, No.3, 1213-1217, 1998.

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