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登録内容 (EID=16632)

EID=16632EID:16632, Map:0, LastModified:2023年1月17日(火) 15:01:00, Operator:[三木 ちひろ], Avail:TRUE, Censor:承認済, Owner:[[副研究部長]/[徳島大学.大学院社会産業理工学研究部]], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
種別 (必須): 学術レター (ショートペーパー) [継承]
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組織 (推奨): 1.徳島大学.工学研究科.エコシステム工学専攻.資源循環工学講座 (〜2014年3月31日) [継承]
2.徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座 (〜2023年3月31日) [継承]
著者 (必須): 1. (英) Petr G. Eliseev (日) (読)
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学籍番号 (推奨):
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2. (英) Sun Hong-Bo (日) (読)
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学籍番号 (推奨):
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3.ヨードカシス サウリウス ([北海道大学])
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学籍番号 (推奨):
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4. (英) Sugahara Tomoya (日) (読)
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学籍番号 (推奨):
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5.酒井 士郎
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学籍番号 (推奨):
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6.三澤 弘明 ([北海道大学])
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学籍番号 (推奨):
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題名 (必須): (英) Laser-Induced Damage Threshold and Surface Processing of GaN at 400 nm Wavelength  (日)    [継承]
副題 (任意):
要約 (任意):
キーワード (推奨):
発行所 (推奨):
誌名 (必須): Japanese Journal of Applied Physics, Part 2 (Letters) ([応用物理学会])
ISSN (任意):
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(必須): 38 [継承]
(必須): 7 [継承]
(必須): 839 841 [継承]
都市 (任意):
年月日 (必須): 西暦 1999年 7月 1日 (平成 11年 7月 1日) [継承]
URL (任意): http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/38/L839/ [継承]
DOI (任意): 10.1143/JJAP.38.L839    (→Scopusで検索) [継承]
PMID (任意):
CRID (任意):
WOS (任意):
Scopus (任意): 2-s2.0-0032655286 [継承]
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標準的な表示

和文冊子 ● Eliseev G. Petr, Hong-Bo Sun, Saulius Juodkazis, Tomoya Sugahara, Shiro Sakai and Hiroaki Misawa : Laser-Induced Damage Threshold and Surface Processing of GaN at 400 nm Wavelength, Japanese Journal of Applied Physics, Part 2 (Letters), Vol.38, No.7, 839-841, 1999.
欧文冊子 ● Eliseev G. Petr, Hong-Bo Sun, Saulius Juodkazis, Tomoya Sugahara, Shiro Sakai and Hiroaki Misawa : Laser-Induced Damage Threshold and Surface Processing of GaN at 400 nm Wavelength, Japanese Journal of Applied Physics, Part 2 (Letters), Vol.38, No.7, 839-841, 1999.

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