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種別 (必須): 学術論文 (審査論文) [継承]
言語 (必須): 英語 [継承]
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組織 (推奨): 1.徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.フロンティア研究センター.光ナノテクノロジー研究部門.ナノマテリアルテクノロジー分野(日亜寄附講座) (〜2018年3月31日) [継承]
著者 (必須): 1.北田 貴弘 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.ナノマテリアルテクノロジー(日亜)]/->個人[塚越 貴弘])
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2. (英) Shimomura Satoshi (日) (読)
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3. (英) Hiyamizu Satoshi (日) (読)
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題名 (必須): (英) Surface segregation of indium atoms during molecular beam epitaxy of InGaAs/GaAs superlattices on (n11)A GaAs substrates  (日)    [継承]
副題 (任意):
要約 (任意): (英) We have investigated substrate off-angle dependence of surface segregation of In atoms during molecular beam epitaxy (MBE) of pseudomorphic In0:08Ga0:92As/GaAs superlattices (SLs) on (n11)A-oriented GaAs substrates (n=3-5). Surface segregation length ofthe In atoms (λ: 1/e decay length of the In content profile along the growth direction) was characterized by high resolution X-raydiffraction (HRXRD) and low-temperature (11 K) photoluminescence (PL) measurements. λ obtained for the (n11)A SLs were 1.21.4times longer than that (λ=1:57 nm) for the simultaneously grown (1 0 0) SL, and the (4 1 1)A SL showed the longest λ of 2.16 nm. Theobtained substrate off-angle dependence of the In segregation length is quite similar to the incorporation life-time (tc) of Ga adatomsreported for MBE growth of GaAs on channeled (1 0 0) substrates, indicating that larger surface migration of Ga adatoms during MBE growth on (n11)A substrates causes enhanced surface segregation of In atoms in the (n11)A InGaAs system.  (日)    [継承]
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誌名 (必須): Journal of Crystal Growth ([Elsevier])
(pISSN: 0022-0248)

ISSN (任意): 0022-0248
ISSN: 0022-0248 (pISSN: 0022-0248)
Title: Journal of crystal growth
Title(ISO): J Cryst Growth
Publisher: Elsevier BV
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(必須): 301-302 [継承]
(必須): [継承]
(必須): 172 176 [継承]
都市 (任意): (英) Tokyo (日) (読) [継承]
年月日 (必須): 西暦 2007年 9月 初日 (平成 19年 9月 初日) [継承]
URL (任意):
DOI (任意): 10.1016/j.jcrysgro.2006.11.170    (→Scopusで検索) [継承]
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標準的な表示

和文冊子 ● Takahiro Kitada, Satoshi Shimomura and Satoshi Hiyamizu : Surface segregation of indium atoms during molecular beam epitaxy of InGaAs/GaAs superlattices on (n11)A GaAs substrates, Journal of Crystal Growth, Vol.301-302, 172-176, 2007.
欧文冊子 ● Takahiro Kitada, Satoshi Shimomura and Satoshi Hiyamizu : Surface segregation of indium atoms during molecular beam epitaxy of InGaAs/GaAs superlattices on (n11)A GaAs substrates, Journal of Crystal Growth, Vol.301-302, 172-176, 2007.

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