『徳島大学 教育・研究者情報データベース (EDB)』---[学外] /
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登録内容 (EID=16460)

EID=16460EID:16460, Map:0, LastModified:2007年8月1日(水) 12:26:55, Operator:[日下 一也], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[日下 一也], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
種別 (必須): 国際会議 [継承]
言語 (必須): 英語 [継承]
招待 (推奨):
審査 (推奨):
カテゴリ (推奨): 研究 [継承]
共著種別 (推奨):
学究種別 (推奨):
組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.機械工学科.生産システム講座 [継承]
2.徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座 [継承]
著者 (必須): 1.日下 一也 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.機械科学系.生産工学分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.機械科学コース.生産工学講座])
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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2.英 崇夫
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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3.富永 喜久雄
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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4. (英) Ao Takahiro (日) 阿尾 高広 (読) あお たかひろ
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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題名 (必須): (英) Effect of External Magnetic Field on Residual Stress in AlN Films Prepared by Sputtering System  (日)    [継承]
副題 (任意):
要約 (任意): (英)   (日) 本論文は,AlN薄膜の結晶配向性および残留応力をX線回折法により調べたものである.2枚のターゲットを用いたマグネトロンスパッタリング法により薄膜形成した.本論文では,成膜条件として外部磁場をとり真空容器の外側に作用させる磁場の膜特性に及ぼす影響を調べた.結晶配向成を示すc軸の傾きは磁場に依存しなかったが,残留応力は磁場に依存し,磁場の増加に伴って引張残留応力値が大きくなった.   [継承]
キーワード (推奨):
発行所 (推奨):
誌名 (必須): (英) Proceedings of the Second International Conference on Nitride Semiconductors (日) (読)
ISSN (任意):
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(必須):
(必須):
(必須): 378 378 [継承]
都市 (必須): 徳島 (Tokushima/[日本国]) [継承]
年月日 (必須): 西暦 1997年 10月 27日 (平成 9年 10月 27日) [継承]
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和文冊子 ● Kazuya Kusaka, Takao Hanabusa, Kikuo Tominaga and Takahiro Ao : Effect of External Magnetic Field on Residual Stress in AlN Films Prepared by Sputtering System, Proceedings of the Second International Conference on Nitride Semiconductors, (巻), (号), 378, Tokushima, Oct. 1997.
欧文冊子 ● Kazuya Kusaka, Takao Hanabusa, Kikuo Tominaga and Takahiro Ao : Effect of External Magnetic Field on Residual Stress in AlN Films Prepared by Sputtering System, Proceedings of the Second International Conference on Nitride Semiconductors, (巻), (号), 378, Tokushima, Oct. 1997.

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