『徳島大学 教育・研究者情報データベース (EDB)』---[学外] /
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登録内容 (EID=16452)

EID=16452EID:16452, Map:0, LastModified:2007年8月1日(水) 12:25:31, Operator:[日下 一也], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[日下 一也], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
種別 (必須): 国際会議 [継承]
言語 (必須): 英語 [継承]
招待 (推奨):
審査 (推奨): Peer Review [継承]
カテゴリ (推奨): 研究 [継承]
共著種別 (推奨):
学究種別 (推奨):
組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.機械工学科.生産システム講座 [継承]
2.徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座 [継承]
著者 (必須): 1.日下 一也 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.機械科学系.生産工学分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.機械科学コース.生産工学講座])
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貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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2.英 崇夫
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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3.富永 喜久雄
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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4. (英) Ao Takahiro (日) 阿尾 高広 (読) あお たかひろ
役割 (任意):
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学籍番号 (推奨):
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題名 (必須): (英) Effect of Partial Nitrogen Gas Pressure on Residual Stress in AlN Films Prepared by Sputtering System  (日)    [継承]
副題 (任意):
要約 (任意): (英)   (日) 本論文は,BLCガラス上に蒸着したAlN薄膜の結晶配向性および残留応力をX線回折法により調査したものである.膜の作製には2枚のターゲットによるプレーンナマグネトロンスパッタリング法を用い,成膜条件としてはガス圧,基板温度を一定とし,窒素分圧をパラメータとした.窒素分圧が70%以上のときAlN膜はc軸配向となり,窒素分圧が低くなると共に配向特性が悪化した.残留応力は窒素分圧が高いとき圧縮であり,低いときは引張になった.   [継承]
キーワード (推奨):
発行所 (推奨):
誌名 (必須): (英) Proceedings of the Fifth International Conference on Residual Stresses (日) (読)
ISSN (任意):
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(必須):
(必須):
(必須): 1048 1053 [継承]
都市 (必須): (英) Linkoeping, Sweden (日) (読) [継承]
年月日 (必須): 西暦 1997年 6月 16日 (平成 9年 6月 16日) [継承]
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和文冊子 ● Kazuya Kusaka, Takao Hanabusa, Kikuo Tominaga and Takahiro Ao : Effect of Partial Nitrogen Gas Pressure on Residual Stress in AlN Films Prepared by Sputtering System, Proceedings of the Fifth International Conference on Residual Stresses, (巻), (号), 1048-1053, Linkoeping, Sweden, June 1997.
欧文冊子 ● Kazuya Kusaka, Takao Hanabusa, Kikuo Tominaga and Takahiro Ao : Effect of Partial Nitrogen Gas Pressure on Residual Stress in AlN Films Prepared by Sputtering System, Proceedings of the Fifth International Conference on Residual Stresses, (巻), (号), 1048-1053, Linkoeping, Sweden, June 1997.

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