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登録内容 (EID=16444)

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種別 (必須): 学術論文 (審査論文) [継承]
言語 (必須): 英語 [継承]
招待 (推奨):
審査 (推奨): Peer Review [継承]
カテゴリ (推奨): 研究 [継承]
共著種別 (推奨):
学究種別 (推奨):
組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.機械工学科.生産システム講座 [継承]
2.徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座 [継承]
著者 (必須): 1.日下 一也 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.機械科学系.生産工学分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.機械科学コース.生産工学講座])
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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2.英 崇夫
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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3.富永 喜久雄
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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題名 (必須): (英) Effect of Plasma Protection Net on Residual Stress in AlN Films Deposited by a Magnetron Sputtering System  (日)    [継承]
副題 (任意):
要約 (任意): (英) Crystal orientation and residual stress development in AlN films deposited on borosilicate glass (the thermal expansion coefficient of which is nearly equal to that of AlN) substrates were investigated by X-ray diffraction method. The AlN films were prepared by a conventional planar magnetron sputtering system with a plasma protection net under the condition of constant substrate temperature and various nitrogen gas pressures between 0.8 Pa and 13 Pa. We found that the residual stresses show the same qualitative tendency against the nitrogen gas pressure independent of the use of the plasma protection net. Large tensile residual stress was observed at high nitrogen gas pressure and large compressive residual stress was observed at low gas pressure. When the plasma protection net was used, residual stresses in the AlN film were shifted to the compressive side.  (日) BLCガラス基板上に堆積したAlN膜の結晶配向性と残留応力をX線回折法により調べた.一定の基板温度,0.8Paから13Paの間のいろいろな窒素ガス圧の条件の下,従来型プレーナマグネトロンスパッタリングによりAlN膜を堆積した.プラズマ防止網の使用に関して,窒素ガス圧に対して同じ定性的な傾向を示す.高窒素ガス圧で大きな引張残留応力が,低窒素ガス圧で大きな圧縮残留応力が発生した.プラズマ防止網を使用した場合,AlN膜の残留応力は圧縮側へ移行した.   [継承]
キーワード (推奨):
発行所 (推奨): Elsevier Science [継承]
誌名 (必須): Thin Solid Films ([Elsevier])
(resolved by 0040-6090)
ISSN: 0040-6090 (pISSN: 0040-6090)
Title: Thin solid films
Title(ISO): Thin Solid Films
Publisher: Elsevier Sequoia
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ISSN (任意):
[継承]
(必須): 290-291 [継承]
(必須):
(必須): 260 263 [継承]
都市 (任意):
年月日 (必須): 西暦 1996年 11月 1日 (平成 8年 11月 1日) [継承]
URL (任意): http://www.sciencedirect.com/science?_ob=ArticleURL&_udi=B6TW0-41TNCJ0-1V&_user=106892&_handle=B-WA-A-A-AUV-MsSAYZA-UUA-AUECWWDWCW-AUEWYUYUCW-CDAZVDZYB-AUV-U&_fmt=summary&_coverDate=12%2F15%2F1996&_rdoc=51&_orig=browse&_srch=%23toc%235548%231996%23997099999%23220187!&_cdi=5548&view=c&_acct=C000008258&_version=1&_urlVersion=0&_userid=106892&md5=4083bf0221814b08bb0bf6248d171a0d [継承]
DOI (任意):
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NAID (任意):
WOS (任意):
Scopus (任意):
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被引用数 (任意):
指導教員 (推奨):
備考 (任意):

標準的な表示

和文冊子 ● Kazuya Kusaka, Takao Hanabusa and Kikuo Tominaga : Effect of Plasma Protection Net on Residual Stress in AlN Films Deposited by a Magnetron Sputtering System, Thin Solid Films, Vol.290-291, (号), 260-263, 1996.
欧文冊子 ● Kazuya Kusaka, Takao Hanabusa and Kikuo Tominaga : Effect of Plasma Protection Net on Residual Stress in AlN Films Deposited by a Magnetron Sputtering System, Thin Solid Films, Vol.290-291, (号), 260-263, 1996.

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