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登録内容 (EID=16441)

EID=16441EID:16441, Map:0, LastModified:2007年2月14日(水) 15:54:32, Operator:[日下 一也], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[日下 一也], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
種別 (必須): 学術論文 (審査論文) [継承]
言語 (必須): 英語 [継承]
招待 (推奨):
審査 (推奨): Peer Review [継承]
カテゴリ (推奨): 研究 [継承]
共著種別 (推奨):
学究種別 (推奨):
組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座 [継承]
2.徳島大学.工学部.機械工学科.生産システム講座 [継承]
著者 (必須): 1.日下 一也 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.機械科学系.生産工学分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.機械科学コース.生産工学講座])
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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2.英 崇夫
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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3.富永 喜久雄
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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題名 (必須): (英) Effect of Nitrogen Gas Pressure on Residual Stress in AlN Films Deposited by the Planar Magnetron Sputtering System  (日)    [継承]
副題 (任意):
要約 (任意): (英) The crystal orientation and residual stress development in AlN films deposited on borosilicate (BLC) glass substrates were investigated by X-ray diffraction. Deposition was performed using two kinds of planar magnetron sputtering system: a conventional system (CPM system) and a special system with two facing targets (FTPM system). The nitrogen gas pressure (PN) was varied over a suitable range for each system. The diffraction patterns of the AlN films showed that the c-axis orientation was improved when the films were deposited using the CPM system at a nitrogen gas pressure lower than 1 Pa. For the CPM system, compressive residual stress was found in films deposited at PN ≦ 2 Pa and tensile residual stress at PN > 2 Pa/ For the FTPM system, tensile residual stress was found in films deposited at PN < 0.8 Pa and compressive residual stress at PN > 0.8 Pa.  (日) BLCガラス基板上に堆積したAlN膜の結晶配向性および残留応力をX線回折法により調べた.従来型システム(CPMシステム)と対向ターゲット式システム(FTPMシステム)の2種類のプレーナマグネトロンスパッタリング法により成膜を行った.それぞれのシステムにおいて窒素ガス圧(PN)を変化させた. CPMシステムにより1Pa以下の低窒素ガス圧で堆積させたとき,AlN膜の回折線図形からc軸配向性が向上することが明らかになった.CPMシステムにおいて,2Pa以下のPNで堆積させた膜で圧縮残留応力が,2Pa以上のPNで堆積させた膜で引張残留応力が発生する.FTPMシステムにおいて,0.8Pa以下のPNで堆積させた膜で圧縮残留応力が,0.8Pa以上のPNで堆積させた膜で引張残留応力が発生する.   [継承]
キーワード (推奨):
発行所 (推奨):
誌名 (必須): Thin Solid Films ([Elsevier])
(resolved by 0040-6090)
ISSN: 0040-6090 (pISSN: 0040-6090)
Title: Thin solid films
Title(ISO): Thin Solid Films
Publisher: Elsevier Sequoia
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ISSN (任意):
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(必須): 281-282 [継承]
(必須):
(必須): 340 343 [継承]
都市 (任意):
年月日 (必須): 西暦 1996年 4月 1日 (平成 8年 4月 1日) [継承]
URL (任意): http://www.sciencedirect.com/science?_ob=ArticleURL&_udi=B6TW0-3VS9496-DK&_user=106892&_handle=B-WA-A-A-ADU-MsSAYVA-UUA-AUECWBVCDB-AUEWYACBDB-CDADAYUBA-ADU-U&_fmt=summary&_coverDate=08%2F01%2F1996&_rdoc=91&_orig=browse&_srch=%23toc%235548%231996%23997179998%2358449!&_cdi=5548&view=c&_acct=C000008258&_version=1&_urlVersion=0&_userid=106892&md5=c597a958b45508f8e08a233bc091347b [継承]
DOI (任意):
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NAID (任意):
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被引用数 (任意):
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標準的な表示

和文冊子 ● Kazuya Kusaka, Takao Hanabusa and Kikuo Tominaga : Effect of Nitrogen Gas Pressure on Residual Stress in AlN Films Deposited by the Planar Magnetron Sputtering System, Thin Solid Films, Vol.281-282, (号), 340-343, 1996.
欧文冊子 ● Kazuya Kusaka, Takao Hanabusa and Kikuo Tominaga : Effect of Nitrogen Gas Pressure on Residual Stress in AlN Films Deposited by the Planar Magnetron Sputtering System, Thin Solid Films, Vol.281-282, (号), 340-343, 1996.

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