『徳島大学 教育・研究者情報データベース (EDB)』---[学外] /
ID: Pass:

登録内容 (EID=16439)

EID=16439EID:16439, Map:0, LastModified:2007年2月14日(水) 15:51:10, Operator:[日下 一也], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[日下 一也], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
種別 (必須): 学術論文 (審査論文) [継承]
言語 (必須): 日本語 [継承]
招待 (推奨):
審査 (推奨): Peer Review [継承]
カテゴリ (推奨): 研究 [継承]
共著種別 (推奨):
学究種別 (推奨):
組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.機械工学科.生産システム講座 [継承]
2.徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座 [継承]
著者 (必須): 1.英 崇夫
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
[継承]
2.日下 一也 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.機械科学系.生産工学分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.機械科学コース.生産工学講座])
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
[継承]
3.富永 喜久雄
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
[継承]
4. (英) Fujiwara Haruo (日) 藤原 晴夫 (読) ふじわら はるお
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
[継承]
題名 (必須): (英) Dependence of Substrate and Its Temperature on Residual Stress in AlN Films Deposited by Sputtering  (日) スパッタリング生成によるAlN薄膜の残留応力の基板および基板温度依存性   [継承]
副題 (任意):
要約 (任意): (英) Crystal orientation and residual stress development in AlN films deposited on BLC glass and quartz substrates were investigated by an X-ray diffraction method. The deposition was made by a planar magnetron sputtering system with two facing targets under the nitrogen gas pressure of 0.39Pa in the substrate temperature range between 373K and 553K. The measurement of diffraction intensity from (00·2) plane showed that the c-axis orientation of AlN films was improved when deposited at higher substrate temperatures than 523K. Large tensile residual stresses, 0.9 ∼ 1.4 GPa for the BLC substrate and 1.4 ∼ 2.7 GPa for the quartz substrate, were found in the films deposited at low substrate temperatures ( ≦ 523K). Especially, the residual stress in the film on a quartz substrate showed a large increase with substrate temperature, whereas that on a BLC substrate showed a small increase. A very small stress was found in the film deposited at high substrate temperatures (> 523K) for both substrates. The role of intrinsic and thermal residual stresses on residual stress development was discussed.  (日) BLCガラスおよび石英基板上に堆積したAlN膜の結晶配向性と残留応力をX線回折法により調べた.成膜は対向ターゲット式プレーナマグネトロンスパッタリング法で行い,堆積条件として窒素ガス圧を0.39Pa,基板温度を373Kから553Kの間で変化させた.(00·2)面からの回折強度の測定より,523K以上の基板温度で堆積したAlN膜のc軸配向性が向上することが明らかになった.523K以下の低基板温度で堆積させたBLCガラス基板上のAlN膜には0.9∼1.4GPa,石英基板上の膜には1.4∼2.7GPaの大きな引張残留応力が形成される.特に,石英基板上の膜中の残留応力は基板温度の増加とともに大きくなる.両基板において523Kより高い基板温度で堆積した膜中の残留応力は,非常に小さい応力が形成される.真応力と熱応力の発生について検討を行った.   [継承]
キーワード (推奨):
発行所 (推奨): 日本材料学会 [継承]
誌名 (必須): 材料 ([日本材料学会])
(resolved by 0514-5163)
ISSN: 0514-5163 (pISSN: 0514-5163, eISSN: 1880-7488)
Title: 材料
Supplier: 社団法人日本材料学会
Publisher: Society of Materials Science Japan
 (Webcat Plus  (J-STAGE  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])
(resolved by 1880-7488)
ISSN: 0514-5163 (pISSN: 0514-5163, eISSN: 1880-7488)
Title: 材料
Supplier: 社団法人日本材料学会
Publisher: Society of Materials Science Japan
 (Webcat Plus  (J-STAGE  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])

ISSN (任意):
[継承]
(必須): 42 [継承]
(必須): 477 [継承]
(必須): 627 633 [継承]
都市 (任意): 京都 (Kyoto/[日本国]) [継承]
年月日 (必須): 西暦 1993年 6月 1日 (平成 5年 6月 1日) [継承]
URL (任意):
DOI (任意):
PMID (任意):
NAID (任意):
WOS (任意):
Scopus (任意):
評価値 (任意):
被引用数 (任意):
指導教員 (推奨):
備考 (任意):

標準的な表示

和文冊子 ● 英 崇夫, 日下 一也, 富永 喜久雄, 藤原 晴夫 : スパッタリング生成によるAlN薄膜の残留応力の基板および基板温度依存性, 材料, Vol.42, No.477, 627-633, 1993年.
欧文冊子 ● Takao Hanabusa, Kazuya Kusaka, Kikuo Tominaga and Haruo Fujiwara : Dependence of Substrate and Its Temperature on Residual Stress in AlN Films Deposited by Sputtering, Journal of the Society of Materials Science, Japan, Vol.42, No.477, 627-633, 1993.

関連情報

Number of session users = 2, LA = 0.45, Max(EID) = 360829, Max(EOID) = 966473.