『徳島大学 教育・研究者情報データベース (EDB)』---[学外] /
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登録内容 (EID=16435)

EID=16435EID:16435, Map:0, LastModified:2007年8月1日(水) 12:28:25, Operator:[日下 一也], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[日下 一也], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
種別 (必須): 国際会議 [継承]
言語 (必須): 英語 [継承]
招待 (推奨):
審査 (推奨): Peer Review [継承]
カテゴリ (推奨): 研究 [継承]
共著種別 (推奨):
学究種別 (推奨):
組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.機械工学科.生産システム講座 [継承]
2.徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座 [継承]
著者 (必須): 1. (英) Furutani Kouhei (日) 古谷 公平 (読) ふるたに こうへい
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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2. (英) John Lieng Anak Bujang (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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3.日下 一也 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.機械科学系.生産工学分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.機械科学コース.生産工学講座])
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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4.英 崇夫
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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5.富永 喜久雄
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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題名 (必須): (英) Effect of Depositing Time and Sputtering Power on Residual Stress in InN Films Deposited by RF Sputtering  (日)    [継承]
副題 (任意):
要約 (任意): (英)   (日) 本論文は,rfマグネトロンスパッタリング法によりガラス基板上に作製したInN膜の残留応力を測定したものである.膜作製条件として,蒸着時間とスパッタリングパワーをとった.膜表面の微視的状態を原子間力顕微鏡で,膜の残留応力をX線回折法で測定した.120分で作製した膜は最高のc軸配向が示され,残留応力は1700MPaになった.180分および240分の膜はc軸配向性が劣化し,残竜応力はほぼ零であった.スパッタリングパワーが100Wの時表面粗さは最小となり,c軸配向特性も最良に,また残留応力は最高の引張応力になった.   [継承]
キーワード (推奨):
発行所 (推奨):
誌名 (必須): (英) Proceedings of the Second International Conference on Advanced Materials Development and Performance Evaluation and Application (日) (読)
ISSN (任意):
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(必須):
(必須):
(必須): 887 890 [継承]
都市 (必須): 徳島 (Tokushima/[日本国]) [継承]
年月日 (必須): 西暦 1999年 11月 23日 (平成 11年 11月 23日) [継承]
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標準的な表示

和文冊子 ● Kouhei Furutani, Bujang Lieng Anak John, Kazuya Kusaka, Takao Hanabusa and Kikuo Tominaga : Effect of Depositing Time and Sputtering Power on Residual Stress in InN Films Deposited by RF Sputtering, Proceedings of the Second International Conference on Advanced Materials Development and Performance Evaluation and Application, (巻), (号), 887-890, Tokushima, Nov. 1999.
欧文冊子 ● Kouhei Furutani, Bujang Lieng Anak John, Kazuya Kusaka, Takao Hanabusa and Kikuo Tominaga : Effect of Depositing Time and Sputtering Power on Residual Stress in InN Films Deposited by RF Sputtering, Proceedings of the Second International Conference on Advanced Materials Development and Performance Evaluation and Application, (巻), (号), 887-890, Tokushima, Nov. 1999.

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