『徳島大学 教育・研究者情報データベース (EDB)』---[学外] /
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登録内容 (EID=16433)

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種別 (必須): 国際会議 [継承]
言語 (必須): 英語 [継承]
招待 (推奨):
審査 (推奨): Peer Review [継承]
カテゴリ (推奨): 研究 [継承]
共著種別 (推奨):
学究種別 (推奨):
組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.機械工学科.生産システム講座 [継承]
2.徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座 [継承]
著者 (必須): 1. (英) Taniguchi Daisike (日) 谷口 大輔 (読) たにぐち だいすけ
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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2.日下 一也 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.機械科学系.生産工学分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.機械科学コース.生産工学講座])
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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3.英 崇夫
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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4.富永 喜久雄
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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題名 (必須): (英) Effect of Sputtering Power on Residual Stress in AlN Films Deposited by rf Sputtering  (日)    [継承]
副題 (任意):
要約 (任意): (英)   (日) 本論文は,ガラス基板上にrfスパッタリング法により蒸着したAlN膜の残留応力測定に関するものである.成膜方法として,通常の平面ターゲットと屋根型ターゲットを用いた.これらの方法で作成した膜のc軸特性および残留応力に及ぼす雰囲気ガス圧およびスパッタリングパワーの依存性をX線回折法により調査した.低ガス圧では平面ターゲットで,また高ガス圧では屋根型ターゲットでよいc軸配向成が得られた.残留応力はスパッタリングパワーが200Wの場合はすべての膜で引張残留応力,100Wの場合に低ガス圧で圧縮,高ガス圧で引張になった.   [継承]
キーワード (推奨):
発行所 (推奨):
誌名 (必須): (英) Proceedings of the Second International Conference on Advanced Materials Development and Performance Evaluation and Application (日) (読)
ISSN (任意):
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(必須):
(必須):
(必須): 883 886 [継承]
都市 (必須): 徳島 (Tokushima/[日本国]) [継承]
年月日 (必須): 西暦 1999年 11月 23日 (平成 11年 11月 23日) [継承]
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標準的な表示

和文冊子 ● Daisike Taniguchi, Kazuya Kusaka, Takao Hanabusa and Kikuo Tominaga : Effect of Sputtering Power on Residual Stress in AlN Films Deposited by rf Sputtering, Proceedings of the Second International Conference on Advanced Materials Development and Performance Evaluation and Application, (巻), (号), 883-886, Tokushima, Nov. 1999.
欧文冊子 ● Daisike Taniguchi, Kazuya Kusaka, Takao Hanabusa and Kikuo Tominaga : Effect of Sputtering Power on Residual Stress in AlN Films Deposited by rf Sputtering, Proceedings of the Second International Conference on Advanced Materials Development and Performance Evaluation and Application, (巻), (号), 883-886, Tokushima, Nov. 1999.

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