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登録内容 (EID=16302)

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種別 (必須): 学術論文 (審査論文) [継承]
言語 (必須): 英語 [継承]
招待 (推奨):
審査 (推奨): Peer Review [継承]
カテゴリ (推奨): 研究 [継承]
共著種別 (推奨):
学究種別 (推奨):
組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.機械工学科.生産システム講座 [継承]
著者 (必須): 1.松英 達也 ([新居浜工業高等専門学校])
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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2.英 崇夫
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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3. (英) Miki Yasuhiro (日) 三木 靖浩 (読) みき やすひろ
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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4.日下 一也 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.機械科学系.生産工学分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.機械科学コース.生産工学講座])
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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5. (英) Maitani Eiji (日) 米谷 英治 (読) まいたに えいじ
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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題名 (必須): (英) Residual Stress in TiN Film Deposited by Arc Ion Plating  (日)    [継承]
副題 (任意):
要約 (任意): (英) TiN films were deposited on aluminum and stainless steel substrates by arc ion plating (AIP). Bias voltages, nitrogen gas pressures and arc currents were changed to examine their role on the hardness and residual stress of a TiN film. Vickers microhardness tests revealed high hardness value (HV = 2250 ∼ 2500) which depends on both nitrogen gas pressures and arc currents. From the X-ray diffraction pattern, it was found that the crystal orientation of the TiN film markedly varied with the bias voltage. Residual stresses in the TiN film were measured by the two-exposure X-ray stress analysis as a function of the nitrogen gas pressure, arc current. Very high compressive residual stresses, -5 GPa in the films on aluminum substrates and -7 GPa in the film on a stainless steel substrate, were observed.  (日) アークイオンプレーティング(AIP)法によりアルミニウムおよびステンレス鋼上にTiN膜を堆積した.TiN膜の硬さと残留応力の役割を調べるために,バイアス電圧,窒素ガス圧およびアーク電流を変化させた.ヴィッカース微小硬さ試験により,窒素ガス圧とアーク電流ともに依存する高硬度値(HV=2250~2500)が明らかとなった.X線回折線図より,TiN膜の結晶配向性はバイアス電圧に著しく依存することが分かった.窒素ガス圧およびアーク電流の関数として,TiN膜の残留応力を2点傾斜X線応力解析により測定した.アルミニウム基板上の膜には-5GPa,ステンレス鋼基板上の膜には-7GPaの非常に高い圧縮残留応力が得られた.   [継承]
キーワード (推奨):
発行所 (推奨): Elsevier Science [継承]
誌名 (必須): Thin Solid Films ([Elsevier])
(resolved by 0040-6090)
ISSN: 0040-6090 (pISSN: 0040-6090)
Title: Thin solid films
Title(ISO): Thin Solid Films
Publisher: Elsevier Sequoia
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ISSN (任意):
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(必須): 343-344 [継承]
(必須):
(必須): 257 260 [継承]
都市 (任意):
年月日 (必須): 西暦 1999年 11月 1日 (平成 11年 11月 1日) [継承]
URL (任意): http://www.sciencedirect.com/science?_ob=ArticleURL&_udi=B6TW0-3Y6PSMH-3X&_user=106892&_handle=B-WA-A-A-AZC-MsSAYVW-UUA-AUECWVVEWC-AUEWYWCDWC-CDAYCUBYW-AZC-U&_fmt=summary&_coverDate=04%2F30%2F1999&_rdoc=67&_orig=browse&_srch=%23toc%235548%231999%23996559999%23150101!&_cdi=5548&view=c&_acct=C000008258&_version=1&_urlVersion=0&_userid=106892&md5=d0c60feae39b7c30bc91c2933faffccd [継承]
DOI (任意):
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Scopus (任意):
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指導教員 (推奨):
備考 (任意):

標準的な表示

和文冊子 ● Tatsuya Matsue, Takao Hanabusa, Yasuhiro Miki, Kazuya Kusaka and Eiji Maitani : Residual Stress in TiN Film Deposited by Arc Ion Plating, Thin Solid Films, Vol.343-344, (号), 257-260, 1999.
欧文冊子 ● Tatsuya Matsue, Takao Hanabusa, Yasuhiro Miki, Kazuya Kusaka and Eiji Maitani : Residual Stress in TiN Film Deposited by Arc Ion Plating, Thin Solid Films, Vol.343-344, (号), 257-260, 1999.

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