『徳島大学 教育・研究者情報データベース (EDB)』---[学外] /
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登録内容 (EID=16290)

EID=16290EID:16290, Map:0, LastModified:2010年11月20日(土) 17:58:55, Operator:[大家 隆弘], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[日下 一也], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
研究者 (必須): 日下 一也 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.機械科学系.生産工学分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.機械科学コース.生産工学講座]) [継承]
分野 (必須): 1.X線応力測定 (X-ray Stress Measurement/[放射線学]) [継承]
テーマ (必須): 1.(英) Residual stress measurement in nitride semiconductor films by using X-ray diffraction  (日) X線回折を用いた窒化物半導体薄膜の残留応力測定   [継承]
要約 (任意): (英)   (日) 高い音響速度と圧電特性に優れるため弾性表面波素子や高周波フィルターへの適用が期待されるAlN,青色発光ダイオードで知られるGaNなどのIII-V族半導体薄膜をスパッタリング法により廉価なガラス基板上へ堆積させる.得られた膜の特性評価として主にX線回折を用いて非破壊的に残留応力を調べている.そして,残留応力の発生機構を解明し,良質な膜を得るための最適な堆積条件を見つけることを目標としている.   [継承]
キーワード (推奨): 1.残留応力 (residual stress) [継承]
2.X線回折 (X-ray diffraction) [継承]
3.スパッタリング (sputtering) [継承]
4.窒化物半導体膜 (nitride semiconductor films) [継承]
共同研究 (推奨): 1.(英) Residual stress measurement  (日) 残留応力測定   [継承]
優先度 (任意): 2 [継承]
備考 (任意):

標準的な表示

和文冊子 ● 日下 一也 : X線応力測定, X線回折を用いた窒化物半導体薄膜の残留応力測定, (残留応力, X線回折, スパッタリング, 窒化物半導体膜).
欧文冊子 ● Kazuya Kusaka : X-ray Stress Measurement, Residual stress measurement in nitride semiconductor films by using X-ray diffraction, (residual stress, X-ray diffraction, sputtering, nitride semiconductor films).

関連情報

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