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種別 (必須): 学術論文 (審査論文) [継承]
言語 (必須): 英語 [継承]
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著者 (必須): 1.西野 克志 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
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2. (英) Sakamoto A. (日) (読)
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3.酒井 士郎
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題名 (必須): (英) Growth of thich a-plane GaN on r-plane sapphire by direct synthesis method  (日)    [継承]
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誌名 (必須): Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics ([Wiley-VCH])
(pISSN: 1862-6351, eISSN: 1610-1642)

ISSN (任意): 1610-1642
ISSN: 1862-6351 (pISSN: 1862-6351, eISSN: 1610-1642)
Title: Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics
Publisher: Wiley - V C H Verlag GmbbH & Co.
 (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])
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(必須): 4 [継承]
(必須): 7 [継承]
(必須): 2532 2535 [継承]
都市 (任意):
年月日 (必須): 西暦 2007年 0月 初日 (平成 19年 0月 初日) [継承]
URL (任意):
DOI (任意): 10.1002/pssc.200674785    (→Scopusで検索) [継承]
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和文冊子 ● Katsushi Nishino, A. Sakamoto and Shiro Sakai : Growth of thich a-plane GaN on r-plane sapphire by direct synthesis method, Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, Vol.4, No.7, 2532-2535, 2007.
欧文冊子 ● Katsushi Nishino, A. Sakamoto and Shiro Sakai : Growth of thich a-plane GaN on r-plane sapphire by direct synthesis method, Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, Vol.4, No.7, 2532-2535, 2007.

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