『徳島大学 教育・研究者情報データベース (EDB)』---[学外] /
ID: Pass:

登録内容 (EID=15837)

EID=15837EID:15837, Map:0, LastModified:2006年11月17日(金) 15:17:00, Operator:[高木 真由美], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[直井 美貴], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
種別 (必須): 国際会議 [継承]
言語 (必須):
招待 (推奨):
審査 (推奨):
カテゴリ (推奨):
共著種別 (推奨):
学究種別 (推奨):
組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座 [継承]
著者 (必須): 1. (英) Hao Maosheng (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
[継承]
2. (英) Mahanty Sourindra (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
[継承]
3. (英) Morishima Y (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
[継承]
4. (英) Takenaka Hironori (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
[継承]
5. (英) Wang Jie (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
[継承]
6. (英) Tottori Satoru (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
[継承]
7. (英) Nozaki Masaaki (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
[継承]
8. (英) Ishikawa Yasuhiro (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
[継承]
9. (英) Sugahara Tomoya (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
[継承]
10.西野 克志 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
[継承]
11.直井 美貴 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.ポストLEDフォトニクス研究所]/[徳島大学.創成科学研究科.理工学専攻.電気電子システムコース(創成科学研究科).物性デバイス講座(創成科学研究科)]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座]/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.電気電子創生工学コース.物性デバイス講座]/[徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座])
役割 (任意): (英)   (日) 実験   [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
[継承]
12.酒井 士郎
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
[継承]
題名 (必須): (英) Stacking Fault and Its Effect on the GaN Epitaxial Growth  (日)    [継承]
副題 (任意):
要約 (任意): (英)   (日) 様々な手法を用いて成長されたGaNをTEMにより評価し,積層欠陥の振る舞いについて議論した.   [継承]
キーワード (推奨):
発行所 (推奨):
誌名 (必須): (英) Proceedings of the Twenty-Fifth International Symposium on Compound Semiconductors (日) (読)
ISSN (任意):
[継承]
(必須): xxvi+892 [継承]
(必須):
(必須): 675 680 [継承]
都市 (必須): 奈良 (Nara/[日本国]) [継承]
年月日 (必須): 西暦 1999年 1月 1日 (平成 11年 1月 1日) [継承]
URL (任意):
DOI (任意):
PMID (任意):
NAID (任意):
WOS (任意):
Scopus (任意):
評価値 (任意):
被引用数 (任意):
指導教員 (推奨):
備考 (任意):

標準的な表示

和文冊子 ● Maosheng Hao, Sourindra Mahanty, Y Morishima, Hironori Takenaka, Jie Wang, Satoru Tottori, Masaaki Nozaki, Yasuhiro Ishikawa, Tomoya Sugahara, Katsushi Nishino, Yoshiki Naoi and Shiro Sakai : Stacking Fault and Its Effect on the GaN Epitaxial Growth, Proceedings of the Twenty-Fifth International Symposium on Compound Semiconductors, Vol.xxvi+892, (号), 675-680, Nara, Jan. 1999.
欧文冊子 ● Maosheng Hao, Sourindra Mahanty, Y Morishima, Hironori Takenaka, Jie Wang, Satoru Tottori, Masaaki Nozaki, Yasuhiro Ishikawa, Tomoya Sugahara, Katsushi Nishino, Yoshiki Naoi and Shiro Sakai : Stacking Fault and Its Effect on the GaN Epitaxial Growth, Proceedings of the Twenty-Fifth International Symposium on Compound Semiconductors, Vol.xxvi+892, (号), 675-680, Nara, Jan. 1999.

関連情報

Number of session users = 0, LA = 0.72, Max(EID) = 372535, Max(EOID) = 996374.