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種別 (必須): 学術レター (ショートペーパー) [継承]
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組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座 [継承]
著者 (必須): 1. (英) Sugahara Tomoya (日) (読)
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学籍番号 (推奨):
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2. (英) Hao Maosheng (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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3. (英) Wang Tao (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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4. (英) Nakagawa Daisuke (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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5.直井 美貴 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.ポストLEDフォトニクス研究所]/[徳島大学.創成科学研究科.理工学専攻.電気電子システムコース(創成科学研究科).物性デバイス講座(創成科学研究科)]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座]/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.電気電子創生工学コース.物性デバイス講座]/[徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座])
役割 (任意): (英)   (日) 実験,考察   [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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6.西野 克志 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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7.酒井 士郎
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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題名 (必須): (英) Role of Dislocation in InGaN Phase Separation  (日)    [継承]
副題 (任意):
要約 (任意): (英)   (日) MOCVD成長されたサファイア上のInGaNの光学特性に対する転位の役割をカソードルミネッセンス法およびAFMを用いて議論した.転位は非発光センターとして振る舞うこと,InGaN中の相分離は混合転位によるスパイラル成長により生じることを示した.   [継承]
キーワード (推奨):
発行所 (推奨):
誌名 (必須): Japanese Journal of Applied Physics, Part 2 (Letters) ([応用物理学会])
ISSN (任意):
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(必須): 37 [継承]
(必須): 10B [継承]
(必須): L1195 L1198 [継承]
都市 (任意):
年月日 (必須): 西暦 1998年 10月 1日 (平成 10年 10月 1日) [継承]
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和文冊子 ● Tomoya Sugahara, Maosheng Hao, Tao Wang, Daisuke Nakagawa, Yoshiki Naoi, Katsushi Nishino and Shiro Sakai : Role of Dislocation in InGaN Phase Separation, Japanese Journal of Applied Physics, Part 2 (Letters), Vol.37, No.10B, L1195-L1198, 1998.
欧文冊子 ● Tomoya Sugahara, Maosheng Hao, Tao Wang, Daisuke Nakagawa, Yoshiki Naoi, Katsushi Nishino and Shiro Sakai : Role of Dislocation in InGaN Phase Separation, Japanese Journal of Applied Physics, Part 2 (Letters), Vol.37, No.10B, L1195-L1198, 1998.

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