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登録内容 (EID=15832)

EID=15832EID:15832, Map:0, LastModified:2005年3月8日(火) 17:55:53, Operator:[直井 美貴], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[直井 美貴], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
種別 (必須): 学術論文 (審査論文) [継承]
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学究種別 (推奨):
組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座 [継承]
著者 (必須): 1. (英) Tsuruoka Tohru (日) (読)
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学籍番号 (推奨):
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2. (英) Takahashi Nobuyuki (日) (読)
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貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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3. (英) Francy R. (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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4. (英) Ushioda Sukekatsu (日) (読)
役割 (任意):
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学籍番号 (推奨):
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5.直井 美貴 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.ポストLEDフォトニクス研究所]/[徳島大学.創成科学研究科.理工学専攻.電気電子システムコース(創成科学研究科).物性デバイス講座(創成科学研究科)]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座]/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.電気電子創生工学コース.物性デバイス講座]/[徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座])
役割 (任意): (英)   (日) 計画,実験,考察,記述   [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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6. (英) Sato Hisao (日) (読)
役割 (任意):
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学籍番号 (推奨):
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7.酒井 士郎
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学籍番号 (推奨):
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8.新谷 義廣
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貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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題名 (必須): (英) HREELS Analysis of the Vibrational and Electronic Properties of GaN Film on Sapphire(0001) Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition  (日)    [継承]
副題 (任意):
要約 (任意): (英)   (日) MOCVD成長されたGaN膜を高分解能電子エネルギー損失分光法,低速電子回折,ラマン分光法を用いて評価した.本手法を用いることにより,LOおよびTOフォノン周波数およびその異方性,表面付近のキャリヤ密度とその減衰定数を決定した.   [継承]
キーワード (推奨):
発行所 (推奨): Elsevier Science [継承]
誌名 (必須): Journal of Crystal Growth ([Elsevier])
(resolved by 0022-0248)
ISSN: 0022-0248 (pISSN: 0022-0248)
Title: Journal of crystal growth
Title(ISO): J Cryst Growth
Publisher: Elsevier BV
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ISSN (任意):
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(必須): 189-190 [継承]
(必須):
(必須): 677 681 [継承]
都市 (任意):
年月日 (必須): 西暦 1998年 6月 1日 (平成 10年 6月 1日) [継承]
URL (任意):
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標準的な表示

和文冊子 ● Tohru Tsuruoka, Nobuyuki Takahashi, R. Francy, Sukekatsu Ushioda, Yoshiki Naoi, Hisao Sato, Shiro Sakai and Yoshihiro Shintani : HREELS Analysis of the Vibrational and Electronic Properties of GaN Film on Sapphire(0001) Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition, Journal of Crystal Growth, Vol.189-190, (号), 677-681, 1998.
欧文冊子 ● Tohru Tsuruoka, Nobuyuki Takahashi, R. Francy, Sukekatsu Ushioda, Yoshiki Naoi, Hisao Sato, Shiro Sakai and Yoshihiro Shintani : HREELS Analysis of the Vibrational and Electronic Properties of GaN Film on Sapphire(0001) Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition, Journal of Crystal Growth, Vol.189-190, (号), 677-681, 1998.

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