| ○種別 (必須): | □ | 学術論文 (審査論文)
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| ○言語 (必須): |
| ○招待 (推奨): |
| ○審査 (推奨): |
| ○カテゴリ (推奨): |
| ○共著種別 (推奨): |
| ○学究種別 (推奨): |
| ○組織 (推奨): | 1. | 徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座
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| ○著者 (必須): | 1. | (英) Tsuruoka Tohru (日) (読)
| ○役割 (任意): |
| ○貢献度 (任意): |
| ○学籍番号 (推奨): |
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| 2. | (英) Takahashi Nobuyuki (日) (読)
| ○役割 (任意): |
| ○貢献度 (任意): |
| ○学籍番号 (推奨): |
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| 3. | (英) Francy R. (日) (読)
| ○役割 (任意): |
| ○貢献度 (任意): |
| ○学籍番号 (推奨): |
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| 4. | (英) Ushioda Sukekatsu (日) (読)
| ○役割 (任意): |
| ○貢献度 (任意): |
| ○学籍番号 (推奨): |
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| 5. | 直井 美貴 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.ポストLEDフォトニクス研究所]/[徳島大学.創成科学研究科.理工学専攻.電気電子システムコース(創成科学研究科).物性デバイス講座(創成科学研究科)]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座]/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.電気電子創生工学コース.物性デバイス講座]/[徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座])
| ○役割 (任意): | □ | (英) (日) 計画,実験,考察,記述
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| ○貢献度 (任意): |
| ○学籍番号 (推奨): |
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| 6. | (英) Sato Hisao (日) (読)
| ○役割 (任意): |
| ○貢献度 (任意): |
| ○学籍番号 (推奨): |
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| 7. | 酒井 士郎
| ○役割 (任意): |
| ○貢献度 (任意): |
| ○学籍番号 (推奨): |
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| 8. | 新谷 義廣
| ○役割 (任意): |
| ○貢献度 (任意): |
| ○学籍番号 (推奨): |
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| ○題名 (必須): | □ | (英) HREELS Analysis of the Vibrational and Electronic Properties of GaN Film on Sapphire(0001) Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition (日)
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| ○副題 (任意): |
| ○要約 (任意): | □ | (英) (日) MOCVD成長されたGaN膜を高分解能電子エネルギー損失分光法,低速電子回折,ラマン分光法を用いて評価した.本手法を用いることにより,LOおよびTOフォノン周波数およびその異方性,表面付近のキャリヤ密度とその減衰定数を決定した.
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| ○キーワード (推奨): |
| ○発行所 (推奨): | □ | Elsevier Science
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| ○誌名 (必須): | □ | Journal of Crystal Growth ([Elsevier])
(resolved by 0022-0248)
ISSN: 0022-0248
(pISSN: 0022-0248)
Title: Journal of crystal growth
Title(ISO): J Cryst Growth
Publisher: Elsevier BV
(NLM Catalog)
(Scopus)
(CrossRef)
(Scopus information is found. [need login])
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| ○巻 (必須): | □ | 189-190
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| ○号 (必須): |
| ○頁 (必須): | □ | 677 681
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| ○都市 (任意): |
| ○年月日 (必須): | □ | 西暦 1998年 6月 1日 (平成 10年 6月 1日)
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| ○URL (任意): |
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