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登録内容 (EID=15831)

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種別 (必須): 学術論文 (審査論文) [継承]
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学究種別 (推奨):
組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座 [継承]
著者 (必須): 1.酒井 士郎
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2. (英) Cheng T.C. (日) (読)
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学籍番号 (推奨):
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3. (英) Foxon T.C. (日) (読)
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学籍番号 (推奨):
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4. (英) Sugahara Tomoya (日) (読)
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学籍番号 (推奨):
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5.直井 美貴 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.ポストLEDフォトニクス研究所]/[徳島大学.創成科学研究科.理工学専攻.電気電子システムコース(創成科学研究科).物性デバイス講座(創成科学研究科)]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座]/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.電気電子創生工学コース.物性デバイス講座]/[徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座])
役割 (任意): (英)   (日) 実験,考察   [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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6. (英) Naoi Hiroyuki (日) (読)
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学籍番号 (推奨):
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題名 (必須): (英) Growth of InNAs on GaAs(100) Substrates by Moleculer-Beam Epitaxy  (日)    [継承]
副題 (任意):
要約 (任意): (英)   (日) 非常に小さなバンドギャップであると予想されるInNAs混晶を分子線エピタキシー法を用いGaAs基板上に成長した.窒素組成38%の混晶が得られた.この結晶は,GaAs基板と格子整合する場合に得られる事を示した.   [継承]
キーワード (推奨):
発行所 (推奨): Elsevier Science [継承]
誌名 (必須): Journal of Crystal Growth ([Elsevier])
(resolved by 0022-0248)
ISSN: 0022-0248 (pISSN: 0022-0248)
Title: Journal of crystal growth
Title(ISO): J Cryst Growth
Publisher: Elsevier BV
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ISSN (任意):
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(必須): 189-190 [継承]
(必須):
(必須): 471 475 [継承]
都市 (任意):
年月日 (必須): 西暦 1998年 6月 1日 (平成 10年 6月 1日) [継承]
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和文冊子 ● Shiro Sakai, T.C. Cheng, T.C. Foxon, Tomoya Sugahara, Yoshiki Naoi and Hiroyuki Naoi : Growth of InNAs on GaAs(100) Substrates by Moleculer-Beam Epitaxy, Journal of Crystal Growth, Vol.189-190, (号), 471-475, 1998.
欧文冊子 ● Shiro Sakai, T.C. Cheng, T.C. Foxon, Tomoya Sugahara, Yoshiki Naoi and Hiroyuki Naoi : Growth of InNAs on GaAs(100) Substrates by Moleculer-Beam Epitaxy, Journal of Crystal Growth, Vol.189-190, (号), 471-475, 1998.

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