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登録内容 (EID=15830)

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種別 (必須): 学術論文 (審査論文) [継承]
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学究種別 (推奨):
組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座 [継承]
著者 (必須): 1.直井 美貴 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.ポストLEDフォトニクス研究所]/[徳島大学.創成科学研究科.理工学専攻.電気電子システムコース(創成科学研究科).物性デバイス講座(創成科学研究科)]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座]/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.電気電子創生工学コース.物性デバイス講座]/[徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座])
役割 (任意): (英)   (日) 計画,実験,考察,記述   [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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2. (英) Kobatake Keizo (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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3. (英) Kurai Satoshi (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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4.西野 克志 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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5. (英) Sato Hisao (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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6. (英) Yamashita Ken-ichi (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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7. (英) Nozaki Masaaki (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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8.酒井 士郎
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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9.新谷 義廣
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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題名 (必須): (英) Characterization of Bulk GaN Grown by Sublimation Technique  (日)    [継承]
副題 (任意):
要約 (任意): (英)   (日) 昇華法によりつくられたバルクGaNをX線回折,2次イオン質量分析,ラマン散乱分光および電気的特性実験により評価した.本報告で使用したバルク結晶は高い結晶完全性をもち高い純度をもつものであることを示した.   [継承]
キーワード (推奨):
発行所 (推奨): Elsevier Science [継承]
誌名 (必須): Journal of Crystal Growth ([Elsevier])
(resolved by 0022-0248)
ISSN: 0022-0248 (pISSN: 0022-0248)
Title: Journal of crystal growth
Title(ISO): J Cryst Growth
Publisher: Elsevier BV
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ISSN (任意):
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(必須): 189-190 [継承]
(必須):
(必須): 163 166 [継承]
都市 (任意):
年月日 (必須): 西暦 1998年 6月 1日 (平成 10年 6月 1日) [継承]
URL (任意):
DOI (任意):
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標準的な表示

和文冊子 ● Yoshiki Naoi, Keizo Kobatake, Satoshi Kurai, Katsushi Nishino, Hisao Sato, Ken-ichi Yamashita, Masaaki Nozaki, Shiro Sakai and Yoshihiro Shintani : Characterization of Bulk GaN Grown by Sublimation Technique, Journal of Crystal Growth, Vol.189-190, (号), 163-166, 1998.
欧文冊子 ● Yoshiki Naoi, Keizo Kobatake, Satoshi Kurai, Katsushi Nishino, Hisao Sato, Ken-ichi Yamashita, Masaaki Nozaki, Shiro Sakai and Yoshihiro Shintani : Characterization of Bulk GaN Grown by Sublimation Technique, Journal of Crystal Growth, Vol.189-190, (号), 163-166, 1998.

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