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登録内容 (EID=15829)

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種別 (必須): 学術論文 (審査論文) [継承]
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組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座 [継承]
著者 (必須): 1.酒井 士郎
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2. (英) Sato Hisao (日) (読)
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学籍番号 (推奨):
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3. (英) Sugahara Tomoya (日) (読)
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学籍番号 (推奨):
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4.直井 美貴 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.ポストLEDフォトニクス研究所]/[徳島大学.創成科学研究科.理工学専攻.電気電子システムコース(創成科学研究科).物性デバイス講座(創成科学研究科)]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座]/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.電気電子創生工学コース.物性デバイス講座]/[徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座])
役割 (任意): (英)   (日) 実験,考察   [継承]
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学籍番号 (推奨):
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5. (英) Kurai Satoshi (日) (読)
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学籍番号 (推奨):
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6. (英) Yamashita Ken-ichi (日) (読)
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学籍番号 (推奨):
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7. (英) Tottori Satoru (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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8. (英) Hao Maosheng (日) (読)
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貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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9. (英) Wada Koichi (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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10.西野 克志 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
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学籍番号 (推奨):
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題名 (必須): (英) Growth of Bulk GaN Sublimation Method  (日)    [継承]
副題 (任意):
要約 (任意): (英)   (日) 昇華法によるバルクGaN結晶製造技術およびMOCVD法によるホモエピタキシャル成長技術について検討した.バルク結晶の前処理により,ホモエピタキシャル成長後の表面モフォロジー,光学特性が大きく変化することを示した.   [継承]
キーワード (推奨):
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誌名 (必須): Materials Science Forum ([Trans Tech Publications Ltd])
(resolved by 0255-5476)
ISSN: 0255-5476 (pISSN: 0255-5476, eISSN: 1662-9752)
Title: Materials Science Forum
Publisher: Trans Tech Publications Ltd.
 (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])
(resolved by 1662-9752)
ISSN: 0255-5476 (pISSN: 0255-5476, eISSN: 1662-9752)
Title: Materials Science Forum
Publisher: Trans Tech Publications Ltd.
 (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])

ISSN (任意):
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(必須): 264-268 [継承]
(必須): PT2 [継承]
(必須): 1107 1110 [継承]
都市 (任意):
年月日 (必須): 西暦 1998年 4月 1日 (平成 10年 4月 1日) [継承]
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標準的な表示

和文冊子 ● Shiro Sakai, Hisao Sato, Tomoya Sugahara, Yoshiki Naoi, Satoshi Kurai, Ken-ichi Yamashita, Satoru Tottori, Maosheng Hao, Koichi Wada and Katsushi Nishino : Growth of Bulk GaN Sublimation Method, Materials Science Forum, Vol.264-268, No.PT2, 1107-1110, 1998.
欧文冊子 ● Shiro Sakai, Hisao Sato, Tomoya Sugahara, Yoshiki Naoi, Satoshi Kurai, Ken-ichi Yamashita, Satoru Tottori, Maosheng Hao, Koichi Wada and Katsushi Nishino : Growth of Bulk GaN Sublimation Method, Materials Science Forum, Vol.264-268, No.PT2, 1107-1110, 1998.

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