『徳島大学 教育・研究者情報データベース (EDB)』---[学外] /
ID: Pass:

登録内容 (EID=15801)

EID=15801EID:15801, Map:0, LastModified:2016年9月6日(火) 17:52:28, Operator:[直井 美貴], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[直井 美貴], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
種別 (必須): 学術レター (ショートペーパー) [継承]
言語 (必須):
招待 (推奨):
審査 (推奨):
カテゴリ (推奨):
共著種別 (推奨):
学究種別 (推奨):
組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座 [継承]
著者 (必須): 1. (英) Sugahara Tomoya (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
[継承]
2. (英) Sato Hisao (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
[継承]
3. (英) Hao Maosheng (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
[継承]
4.直井 美貴 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.ポストLEDフォトニクス研究所]/[徳島大学.創成科学研究科.理工学専攻.電気電子システムコース(創成科学研究科).物性デバイス講座(創成科学研究科)]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座]/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.電気電子創生工学コース.物性デバイス講座]/[徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座])
役割 (任意): (英)   (日) 実験,考察   [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
[継承]
5. (英) Kurai Satoshi (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
[継承]
6. (英) Tottori Satoru (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
[継承]
7. (英) Yamashita Kenji (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
[継承]
8.西野 克志 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
[継承]
9.西野 克志 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
[継承]
10.酒井 士郎
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
[継承]
題名 (必須): (英) Direct Evidence that Dislocations are Non-radiative Recombination Centers in GaN  (日)    [継承]
副題 (任意):
要約 (任意): (英)   (日) 平面TEM観察およびカソードルミネッセンス像測定を,n型GaNにおいて同一試料·同一場所に対して行った.カソードルミネッセンス像中の暗点は,TEM像中における転位と1対1で対応することを示した.n型GaN中の正孔の拡散距離を約50nmであると評価した.GaN発光効率は,少数キャリヤの拡散長が転位の間隔よりも短いほど高くなることを実験的に明らかにした.   [継承]
キーワード (推奨):
発行所 (推奨):
誌名 (必須): Japanese Journal of Applied Physics, Part 2 (Letters) ([応用物理学会])
ISSN (任意):
[継承]
(必須): 37 [継承]
(必須): 4A [継承]
(必須): L398 L400 [継承]
都市 (任意):
年月日 (必須): 西暦 1998年 4月 1日 (平成 10年 4月 1日) [継承]
URL (任意):
DOI (任意):
PMID (任意):
NAID (任意):
WOS (任意):
Scopus (任意):
評価値 (任意):
被引用数 (任意):
指導教員 (推奨):
備考 (任意):

標準的な表示

和文冊子 ● Tomoya Sugahara, Hisao Sato, Maosheng Hao, Yoshiki Naoi, Satoshi Kurai, Satoru Tottori, Kenji Yamashita, Katsushi Nishino, Katsushi Nishino and Shiro Sakai : Direct Evidence that Dislocations are Non-radiative Recombination Centers in GaN, Japanese Journal of Applied Physics, Part 2 (Letters), Vol.37, No.4A, L398-L400, 1998.
欧文冊子 ● Tomoya Sugahara, Hisao Sato, Maosheng Hao, Yoshiki Naoi, Satoshi Kurai, Satoru Tottori, Kenji Yamashita, Katsushi Nishino, Katsushi Nishino and Shiro Sakai : Direct Evidence that Dislocations are Non-radiative Recombination Centers in GaN, Japanese Journal of Applied Physics, Part 2 (Letters), Vol.37, No.4A, L398-L400, 1998.

関連情報

Number of session users = 0, LA = 0.57, Max(EID) = 372616, Max(EOID) = 996877.