『徳島大学 教育・研究者情報データベース (EDB)』---[学外] /
登録内容 (EID=15681)
| EID=15681 | EID:15681,
Map:0,
LastModified:2019年3月6日(水) 21:22:21,
Operator:[直井 美貴],
Avail:TRUE,
Censor:0,
Owner:[直井 美貴],
Read:継承,
Write:継承,
Delete:継承.
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| ○研究者 (必須): | □ | 直井 美貴 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.ポストLEDフォトニクス研究所]/[徳島大学.創成科学研究科.理工学専攻.電気電子システムコース(創成科学研究科).物性デバイス講座(創成科学研究科)]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座]/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.電気電子創生工学コース.物性デバイス講座]/[徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座])
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| ○分野 (必須): | 1. | (英) (日) 半導体光デバイス (読)
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| 2. | (英) (日) 光工学 (読)
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| ○テーマ (必須): | 1. | (英) (日) 半導体結晶成長と光デバイス開発
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| ○要約 (任意): |
| ○キーワード (推奨): | 1. | (英) (日) 窒化物 (読)
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| 2. | (英) (日) ワイドギャップ半導体 (読)
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| 3. | 光デバイス (optical device)
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| 4. | (英) (日) 薄膜·結晶成長 (読)
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| 5. | (英) (日) 物性評価 (読)
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| ○共同研究 (推奨): |
| ○優先度 (任意): |
| ○備考 (任意): |
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標準的な表示
| 和文冊子 ● |
直井 美貴 : 半導体光デバイス, 光工学, 半導体結晶成長と光デバイス開発, (窒化物, ワイドギャップ半導体, 光デバイス, 薄膜·結晶成長, 物性評価). |
| 欧文冊子 ● |
Yoshiki Naoi : 半導体光デバイス, 光工学, 半導体結晶成長と光デバイス開発, (窒化物, ワイドギャップ半導体, optical device, 薄膜·結晶成長, 物性評価). |
関連情報
Number of session users = 3, LA = 0.36, Max(EID) = 414752, Max(EOID) = 1119585.