『徳島大学 教育・研究者情報データベース (EDB)』---[学外] /
ID: Pass:

登録内容 (EID=156666)

EID=156666EID:156666, Map:0, LastModified:2018年11月30日(金) 15:40:43, Operator:[加藤 真樹], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[加藤 真樹], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
○種別 (必須): □学術論文 (審査論文) [継承]
○言語 (必須): □英語 [継承]
○招待 (推奨):
○審査 (推奨):
○カテゴリ (推奨):
○共著種別 (推奨):
○学究種別 (推奨):
○組織 (推奨):
○著者 (必須): 1. (英) Higuchi Yu (日) (読)
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
[継承]
2. (英) Uemura Masaya (日) (読)
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
[継承]
3. (英) Masui Yuji (日) (読)
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
[継承]
4.北田 貴弘 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.ナノマテリアルテクノロジー(日亜)]/->個人[塚越 貴弘])
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
[継承]
5. (英) Shimomura Satoshi (日) (読)
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
[継承]
6. (英) Hiyamizu Satoshi (日) (読)
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
[継承]
○題名 (必須): □(英) V/III ratio dependence of surface migration length of As4 molecules during molecular beam epitaxy of GaAsP on (411)A GaAs substrates  (日)    [継承]
○副題 (任意):
○要約 (任意): □(英) The surface migration length of As4 molecules on (4 1 1)A surfaces during molecular beam epitaxy has been determined from lateral profiles of As content (x) in GaAsxP1-x layers grown on (4 1 1)A GaAs substrates with a (1 0 0) side-slope using As4 and P2 molecular beams. The migration length of As4 molecules on (4 1 1)A surfaces at a substrate temperature of 535°C was found to steeply increase from 4 to 10 μm and saturate to 10 μm with increasing V/III flux ratio. This V/III ratio dependence of migration length of As4 is understood by a proposed model where an As4 molecule is dissociated and incorporated into the crystal phase when an As4 molecule encounters a Ga adatom on the (4 1 1)A surface. Quantitative analysis is made using rate equations based on the model and the experimental results are reproduced with reasonable fitting parameter.  (日)    [継承]
○キーワード (推奨):
○発行所 (推奨):
○誌名 (必須): □Journal of Crystal Growth ([Elsevier])
(pISSN: 0022-0248)

○ISSN (任意): □0022-0248
ISSN: 0022-0248 (pISSN: 0022-0248)
Title: Journal of crystal growth
Title(ISO): J Cryst Growth
Publisher: Elsevier BV
 (NLM Catalog)   (Scopus)   (CrossRef)  (Scopus information is found. [need login])
[継承]
[継承]
○巻 (必須): □251 [継承]
○号 (必須): □1-4 [継承]
○頁 (必須): □80 84 [継承]
○都市 (任意):
○年月日 (必須): □西暦 2003年 1月 1日 (平成 15年 1月 1日) [継承]
○URL (任意):
○DOI (任意): □10.1016/S0022-0248(02)02377-1    (→Scopusで検索) [継承]
○PMID (任意):
○NAID (任意):
○WOS (任意): □000182179800015 [継承]
○Scopus (任意):
○評価値 (任意):
○被引用数 (任意):
○指導教員 (推奨):
○備考 (任意):

標準的な表示

和文冊子 ● Yu Higuchi, Masaya Uemura, Yuji Masui, Takahiro Kitada, Satoshi Shimomura and Satoshi Hiyamizu : V/III ratio dependence of surface migration length of As4 molecules during molecular beam epitaxy of GaAsP on (411)A GaAs substrates, Journal of Crystal Growth, Vol.251, No.1-4, 80-84, 2003.
欧文冊子 ● Yu Higuchi, Masaya Uemura, Yuji Masui, Takahiro Kitada, Satoshi Shimomura and Satoshi Hiyamizu : V/III ratio dependence of surface migration length of As4 molecules during molecular beam epitaxy of GaAsP on (411)A GaAs substrates, Journal of Crystal Growth, Vol.251, No.1-4, 80-84, 2003.

関連情報

Number of session users = 0, LA = 1.96, Max(EID) = 373348, Max(EOID) = 998911.