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登録内容 (EID=156666)

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種別 (必須): 学術論文 (審査論文) [継承]
言語 (必須): 英語 [継承]
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著者 (必須): 1. (英) Higuchi Yu (日) (読)
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2. (英) Uemura Masaya (日) (読)
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3. (英) Masui Yuji (日) (読)
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学籍番号 (推奨):
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4.北田 貴弘 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.ナノマテリアルテクノロジー(日亜)]/->個人[塚越 貴弘])
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5. (英) Shimomura Satoshi (日) (読)
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6. (英) Hiyamizu Satoshi (日) (読)
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題名 (必須): (英) V/III ratio dependence of surface migration length of As4 molecules during molecular beam epitaxy of GaAsP on (411)A GaAs substrates  (日)    [継承]
副題 (任意):
要約 (任意): (英) The surface migration length of As4 molecules on (4 1 1)A surfaces during molecular beam epitaxy has been determined from lateral profiles of As content (x) in GaAsxP1-x layers grown on (4 1 1)A GaAs substrates with a (1 0 0) side-slope using As4 and P2 molecular beams. The migration length of As4 molecules on (4 1 1)A surfaces at a substrate temperature of 535°C was found to steeply increase from 4 to 10 μm and saturate to 10 μm with increasing V/III flux ratio. This V/III ratio dependence of migration length of As4 is understood by a proposed model where an As4 molecule is dissociated and incorporated into the crystal phase when an As4 molecule encounters a Ga adatom on the (4 1 1)A surface. Quantitative analysis is made using rate equations based on the model and the experimental results are reproduced with reasonable fitting parameter.  (日)    [継承]
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発行所 (推奨):
誌名 (必須): Journal of Crystal Growth ([Elsevier])
(pISSN: 0022-0248)

ISSN (任意): 0022-0248
ISSN: 0022-0248 (pISSN: 0022-0248)
Title: Journal of crystal growth
Title(ISO): J Cryst Growth
Publisher: Elsevier BV
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(必須): 251 [継承]
(必須): 1-4 [継承]
(必須): 80 84 [継承]
都市 (任意):
年月日 (必須): 西暦 2003年 1月 1日 (平成 15年 1月 1日) [継承]
URL (任意):
DOI (任意): 10.1016/S0022-0248(02)02377-1    (→Scopusで検索) [継承]
PMID (任意):
NAID (任意):
WOS (任意): 000182179800015 [継承]
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標準的な表示

和文冊子 ● Yu Higuchi, Masaya Uemura, Yuji Masui, Takahiro Kitada, Satoshi Shimomura and Satoshi Hiyamizu : V/III ratio dependence of surface migration length of As4 molecules during molecular beam epitaxy of GaAsP on (411)A GaAs substrates, Journal of Crystal Growth, Vol.251, No.1-4, 80-84, 2003.
欧文冊子 ● Yu Higuchi, Masaya Uemura, Yuji Masui, Takahiro Kitada, Satoshi Shimomura and Satoshi Hiyamizu : V/III ratio dependence of surface migration length of As4 molecules during molecular beam epitaxy of GaAsP on (411)A GaAs substrates, Journal of Crystal Growth, Vol.251, No.1-4, 80-84, 2003.

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