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登録内容 (EID=156659)

EID=156659EID:156659, Map:0, LastModified:2018年12月3日(月) 17:58:43, Operator:[大家 隆弘], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[加藤 真樹], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
種別 (必須): 学術論文 (審査論文) [継承]
言語 (必須): 英語 [継承]
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著者 (必須): 1. (英) Shimomura Satoshi (日) (読)
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2. (英) Kitano Yoshiaki (日) (読)
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3. (英) Kuge Hidehiko (日) (読)
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4.北田 貴弘 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.ナノマテリアルテクノロジー(日亜)]/->個人[塚越 貴弘])
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5. (英) Nakajima Kazuo (日) (読)
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6. (英) Hiyamizu Satoshi (日) (読)
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題名 (必須): (英) Lattice-matched InxGa1-xAs/InxAl1-xAs quantum wells (x = 0.18 and 0.19) grown on (411)A- and (100)-oriented InGaAs ternary substrates by molecular beam epitaxy  (日)    [継承]
副題 (任意):
要約 (任意): (英) High-optical quality lattice-matched InxGa1-xAs/InxAl1-xAs quantum wells (QWs) with indium contents of x=0.18-0.19 have been successfully grown on (4 1 1)A- and (1 0 0)-oriented InGaAs ternary substrates by molecular beam epitaxy. Strong photoluminescence (PL) with a narrow linewidth was observed from both (4 1 1)A and (1 0 0) QWs at 12 K. The peak energy of PL from QWs had a good correlation with the calculated exciton emission energy based on the band parameter of the InGaAs well layers and InAlAs barrier layers. The result indicates that the (4 1 1)A and (1 0 0) InGaAs/InAlAs QWs on InGaAs ternary substrates have 0.2 eV larger energy gap difference between their well and barrier materials than GaAs/AlAs QWs on GaAs binary substrates or InGaAs/InAlAs QWs on InP binary substrates. In addition, the (4 1 1)A In0.18Ga0.82As/In0.18Al0.82As QWs had a narrower PL linewidth than (1 0 0) QWs indicating that smoother interfaces were realized in the (4 1 1)A QWs.  (日)    [継承]
キーワード (推奨):
発行所 (推奨):
誌名 (必須): Journal of Crystal Growth ([Elsevier])
(pISSN: 0022-0248)

ISSN (任意): 0022-0248
ISSN: 0022-0248 (pISSN: 0022-0248)
Title: Journal of crystal growth
Title(ISO): J Cryst Growth
Publisher: Elsevier BV
 (NLM Catalog  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])
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(必須): 227-228 [継承]
(必須):
(必須): 72 76 [継承]
都市 (任意):
年月日 (必須): 西暦 2001年 1月 1日 (平成 13年 1月 1日) [継承]
URL (任意):
DOI (任意): 10.1016/S0022-0248(01)00635-2    (→Scopusで検索) [継承]
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NAID (任意):
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標準的な表示

和文冊子 ● Satoshi Shimomura, Yoshiaki Kitano, Hidehiko Kuge, Takahiro Kitada, Kazuo Nakajima and Satoshi Hiyamizu : Lattice-matched InxGa1-xAs/InxAl1-xAs quantum wells (x = 0.18 and 0.19) grown on (411)A- and (100)-oriented InGaAs ternary substrates by molecular beam epitaxy, Journal of Crystal Growth, Vol.227-228, (号), 72-76, 2001.
欧文冊子 ● Satoshi Shimomura, Yoshiaki Kitano, Hidehiko Kuge, Takahiro Kitada, Kazuo Nakajima and Satoshi Hiyamizu : Lattice-matched InxGa1-xAs/InxAl1-xAs quantum wells (x = 0.18 and 0.19) grown on (411)A- and (100)-oriented InGaAs ternary substrates by molecular beam epitaxy, Journal of Crystal Growth, Vol.227-228, (号), 72-76, 2001.

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