『徳島大学 教育・研究者情報データベース (EDB)』---[学外] /
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登録内容 (EID=156369)

EID=156369EID:156369, Map:0, LastModified:2007年3月30日(金) 18:20:03, Operator:[敖 金平], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[敖 金平], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座 [継承]
研究者 (必須): 1.敖 金平 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座]) [継承]
種別 (必須): 1.国内 [継承]
出資団体 (必須): 文部省.日本学術振興会 (->組織[独立行政法人日本学術振興会]) [継承]
予算名 (必須): 科学研究費補助金 [継承]
予算名2 (推奨): 基盤研究(C) [継承]
番号 (推奨): 18560337 [継承]
課題 (必須): (英)   (日) 高融点金属ゲートAlGaN/GaN HFETに関する研究   [継承]
要約 (任意):
金額 (推奨): 1.1800.0千円 [継承]
2.16000.0千円 [継承]
期間 (必須): 西暦 2006年 4月 初日 (平成 18年 4月 初日) 〜西暦 2008年 3月 末日 (平成 20年 3月 末日) [継承]
備考 (任意):

標準的な表示

和文冊子 ● 敖 金平 : 文部省 日本学術振興会, 科学研究費補助金基盤研究(C), 高融点金属ゲートAlGaN/GaN HFETに関する研究, 2006年4月〜2008年3月.
欧文冊子 ● Jin-Ping Ao : Japan Society for the Promotion of Science, Ministry of Education, Grants-in-Aid for Scientific ResearchScientific Research (C), 高融点金属ゲートAlGaN/GaN HFETに関する研究, April 2006-March 2008.

関連情報

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