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登録内容 (EID=154238)

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種別 (必須): 国際会議 [継承]
言語 (必須): 英語 [継承]
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組織 (推奨): 1.知的材料システム (2006年4月1日〜2016年3月31日) [継承]
2.量子物質科学 (2006年4月1日〜2016年3月31日) [継承]
著者 (必須): 1. (英) Ikeda K. (日) (読)
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2. (英) Choi R.J. (日) (読)
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学籍番号 (推奨):
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3. (英) Fukumoto T. (日) (読)
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学籍番号 (推奨):
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4. (英) Ono K. (日) (読)
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5.直井 美貴 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.ポストLEDフォトニクス研究所]/[徳島大学.創成科学研究科.理工学専攻.電気電子システムコース(創成科学研究科).物性デバイス講座(創成科学研究科)]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座]/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.電気電子創生工学コース.物性デバイス講座]/[徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座])
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学籍番号 (推奨):
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6.西野 克志 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
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7.酒井 士郎
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題名 (必須): (英) Visible light emitting diode using a-plane GaN on r-sapphire substrate with an InAlN buffer layer and a high temperature atomic layer epitaxy  (日)    [継承]
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発行所 (推奨):
誌名 (必須): (英) 13th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (日) (読)
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都市 (必須): 宮崎 (Miyazaki/[日本国]) [継承]
年月日 (必須): 西暦 2006年 5月 22日 (平成 18年 5月 22日) [継承]
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和文冊子 ● K. Ikeda, R.J. Choi, T. Fukumoto, K. Ono, Yoshiki Naoi, Katsushi Nishino and Shiro Sakai : Visible light emitting diode using a-plane GaN on r-sapphire substrate with an InAlN buffer layer and a high temperature atomic layer epitaxy, 13th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy, Miyazaki, May 2006.
欧文冊子 ● K. Ikeda, R.J. Choi, T. Fukumoto, K. Ono, Yoshiki Naoi, Katsushi Nishino and Shiro Sakai : Visible light emitting diode using a-plane GaN on r-sapphire substrate with an InAlN buffer layer and a high temperature atomic layer epitaxy, 13th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy, Miyazaki, May 2006.

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