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種別 (必須): 学術論文 (審査論文) [継承]
言語 (必須): 英語 [継承]
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学究種別 (推奨):
組織 (推奨): 1.量子物質科学 (2006年4月1日〜2016年3月31日) [継承]
2.知的材料システム (2006年4月1日〜2016年3月31日) [継承]
著者 (必須): 1. (英) Sumiyoshi K. (日) (読)
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2. (英) Tsukihara M. (日) (読)
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3. (英) Kataoka K. (日) (読)
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4. (英) Kawamichi S. (日) (読)
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5. (英) Okimoto T. (日) (読)
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6.西野 克志 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
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学籍番号 (推奨):
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7.直井 美貴 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.ポストLEDフォトニクス研究所]/[徳島大学.創成科学研究科.理工学専攻.電気電子システムコース(創成科学研究科).物性デバイス講座(創成科学研究科)]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座]/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.電気電子創生工学コース.物性デバイス講座]/[徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座])
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8.酒井 士郎
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題名 (必須): (英) Al0.17Ga0.83N Film Using Middle-Temperature Intermediate Layer Grown on (0001) Sapphire Substrate by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition  (日)    [継承]
副題 (任意):
要約 (任意): (英) The reduction of the dislocation density in a high-temperature (HT)-Al0.17Ga0.83N epitaxial layer was achieved by a middle-temperature (MT)-intermediate layer technique, in which the HT and the MT were 1050 and 950 °C, respectively. For one set of the MT-intermediate layer, the structure was 4.5-μm-thick HT-Al0.17Ga0.83N/1-μm-thick MT-intermediate layer/100-nm-thick HT-Al0.17Ga0.83N layer/low-temperature (LT)-GaNP buffer/trenched (0001) sapphire. The full-width at half maximum values of (0002) and ($10ar{1}2$) diffraction peaks of the X-ray diffraction for the Al0.17Ga0.83N epitaxial layer using one set of the MT-intermediate layer were improved to 359 and 486 arcsec compared with 401 and 977 arcsec for the film without the MT-intermediate layer technique, respectively. Transmission electron microscopy result showed that the dislocation density in the Al0.17Ga0.83N film using one set of MT-intermediate layer was reduced from $(1--4)imes 10^{10}$ to $1.7imes 10^{9}$ cm-2. The Al0.17Ga0.83N epitaxial film including two sets of MT-intermediate layers improved the most, showing a dislocation density of $9.3imes 10^{8}$ cm-2.  (日)    [継承]
キーワード (推奨): 1. (英) intermediate layer (日) (読) [継承]
2. (英) middle temperature (日) (読) [継承]
3. (英) aluminum gallium nitride (日) (読) [継承]
4. (英) metal-organic chemical vapor deposition (日) (読) [継承]
発行所 (推奨): 物理系学術誌刊行協会 [継承]
誌名 (必須): Japanese Journal of Applied Physics ([応用物理学会])
(pISSN: 0021-4922, eISSN: 1347-4065)

ISSN (任意): 0021-4922
ISSN: 0021-4922 (pISSN: 0021-4922, eISSN: 1347-4065)
Title: Japanese journal of applied physics (2008)
Title(ISO): Jpn J Appl Phys (2008)
Supplier: 社団法人応用物理学会
Publisher: Japan Society of Applied Physics
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(必須): 46 [継承]
(必須): 2 [継承]
(必須): 491 495 [継承]
都市 (任意):
年月日 (必須): 西暦 2007年 2月 15日 (平成 19年 2月 15日) [継承]
URL (任意): http://ci.nii.ac.jp/naid/150000048213/ [継承]
DOI (任意): 10.1143/JJAP.46.491    (→Scopusで検索) [継承]
PMID (任意):
NAID (任意): 10018544667 [継承]
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標準的な表示

和文冊子 ● K. Sumiyoshi, M. Tsukihara, K. Kataoka, S. Kawamichi, T. Okimoto, Katsushi Nishino, Yoshiki Naoi and Shiro Sakai : Al0.17Ga0.83N Film Using Middle-Temperature Intermediate Layer Grown on (0001) Sapphire Substrate by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.46, No.2, 491-495, 2007.
欧文冊子 ● K. Sumiyoshi, M. Tsukihara, K. Kataoka, S. Kawamichi, T. Okimoto, Katsushi Nishino, Yoshiki Naoi and Shiro Sakai : Al0.17Ga0.83N Film Using Middle-Temperature Intermediate Layer Grown on (0001) Sapphire Substrate by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.46, No.2, 491-495, 2007.

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