『徳島大学 教育・研究者情報データベース (EDB)』---[学外] /
ID: Pass:

登録内容 (EID=151087)

EID=151087EID:151087, Map:[2007/半導体ナノテクノロジー基礎論], LastModified:2007年12月26日(水) 20:57:45, Operator:[大家 隆弘], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[[教務委員会委員]/[徳島大学.工学部.生物工学科]], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
○種別 (必須): □工学部•昼間 (授業概要) [継承]
○入学年度 (必須): □西暦 2007年 (平成 19年) [継承]
○名称 (必須): □ (英) Introduction to Semiconductor Nanotechnology (日) 半導体ナノテクノロジー基礎論 (読) はんどうたいなのてくのろじーきそろん
[継承]
○形態 (不用): 1.講義 [継承]
○コース (必須): 1.2007/[徳島大学.工学部.生物工学科]/[昼間コース] [継承]
○担当教員 (必須): 1.井須 俊郎
○肩書 (任意):
[継承]
2.北田 貴弘 (->個人[塚越 貴弘])
○肩書 (任意):
[継承]
○単位 (必須): □2 [継承]
○目的 (必須): □(英)   (日) 半導体エレクトロニクスの先端分野で用いられているナノテクノロジーについて基礎的な概念を理解させる．   [継承]
○概要 (必須): □(英)   (日) 半導体のナノ構造が生み出す性質を理解するための基礎知識として，半導体の電気的特性，ナノ構造における量子力学的効果など，半導体ナノ構造の特徴について説明する．これらの半導体ナノ構造を用いた各種の電子デバイス，光デバイスについて概説し，さらに半導体ナノ構造の作製の手法とそれらの構造や特性の測定評価方法について解説する．   [継承]
○キーワード (推奨): 1. (英) (日) ナノ量子構造 (読) [継承]
2. (英) (日) 半導体ナノ物性 (読) [継承]
3. (英) (日) 電子デバイス (読) [継承]
4. (英) (日) 光デバイス (読) [継承]
○先行科目 (推奨):
○関連科目 (推奨):
○要件 (任意): □(英)   (日) 特になし．   [継承]
○注意 (任意): □(英)   (日) 特になし．   [継承]
○目標 (必須): 1.(英)   (日) 半導体ナノ構造の特徴と応用例について理解する．  
[継承]
○計画 (必須): 1.(英)   (日) 半導体ナノ構造とは  
[継承]
2.(英)   (日) 半導体の性質  
[継承]
3.(英)   (日) 電子状態の量子化  
[継承]
4.(英)   (日) 低次元量子構造  
[継承]
5.(英)   (日) 半導体ナノ構造の電子物性  
[継承]
6.(英)   (日) 半導体ナノ構造の光物性  
[継承]
7.(英)   (日) 光デバイス応用1  
[継承]
8.(英)   (日) 光デバイス応用2  
[継承]
9.(英)   (日) 電子デバイス応用1  
[継承]
10.(英)   (日) 電子デバイス応用2  
[継承]
11.(英)   (日) 結晶成長法による形成技術  
[継承]
12.(英)   (日) 微細加工による形成技術  
[継承]
13.(英)   (日) ナノ構造測定手法  
[継承]
14.(英)   (日) 電気的特性評価  
[継承]
15.(英)   (日) 光学的特性評価  
[継承]
16.(英)   (日) 期末試験  
[継承]
○評価 (必須): □(英)   (日) レポート(60%)，試験(40%)   [継承]
○JABEE合格 (任意):
○JABEE関連 (任意):
○対象学生 (任意): □(英)   (日) 関心のある学生は誰でも受講可．   [継承]
○教科書 (必須): 1.(英)   (日) 特になし．   [継承]
○参考資料 (推奨): 1.(英)   (日) 教室で紹介する．   [継承]
○URL (任意):
○連絡先 (推奨): 1.井須 俊郎
○オフィスアワー (任意):
[継承]
2.北田 貴弘 (->個人[塚越 貴弘])
○オフィスアワー (任意):
[継承]
○科目コード (推奨):
○備考 (任意):

●この色で表示されている項目はマップによって参照された内容です．

マップを行っている情報の編集について

マップによって参照している箇所を修正する場合には，次のようにしてください．
  • マップ先の記述とこの情報の記述を同時に修正する場合．
    →マップ先の情報（
        →閲覧 【授業概要】(2007/半導体ナノテクノロジー基礎論)
    ）で編集を行なってください．
  • マップ先の記述は変更せずこの情報のみを変更する場合．
    →この頁で編集を行なってください．
    [注意] 編集画面では，マップによる参照によって得た内容は表示されません．
    [注意] 参照は同じ名前の項目がある場合に行なわれます．
    [注意] 項目を無記入にすると参照が行なわれ，それ以外には参照が行なわれません．（項目単位）

この情報を取り巻くマップ

閲覧 【授業概要】(2007/半導体ナノテクノロジー基礎論) ←閲覧 【授業概要】(2007/半導体ナノテクノロジー基礎論) 　 ←閲覧 【授業概要】(2008/半導体ナノテクノロジー基礎論)
←閲覧 【授業概要】(2008/半導体ナノテクノロジー基礎論)
←閲覧 【授業概要】(2007/半導体ナノテクノロジー基礎論)
←閲覧 【授業概要】(2007/半導体ナノテクノロジー基礎論)
←閲覧 【授業概要】(2007/半導体ナノテクノロジー基礎論)

標準的な表示

和文冊子 ● 半導体ナノテクノロジー基礎論 / Introduction to Semiconductor Nanotechnology
欧文冊子 ● Introduction to Semiconductor Nanotechnology / 半導体ナノテクノロジー基礎論

関連情報

この情報を参照している情報

閲覧【教育プログラム】…(2)

この情報をマップしている情報

閲覧【授業概要】…(1)
Number of session users = 1, LA = 0.85, Max(EID) = 414768, Max(EOID) = 1119639.