『徳島大学 教育・研究者情報データベース (EDB)』---[学外] /
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登録内容 (EID=14965)

EID=14965EID:14965, Map:[2000/集積回路工学], LastModified:2007年12月28日(金) 16:08:08, Operator:[大家 隆弘], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[[教務委員会委員]/[徳島大学.工学部.知能情報工学科]], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
種別 (必須): 工学部•夜間主 (授業概要) [継承]
入学年度 (必須): 西暦 2001年 (平成 13年) [継承]
名称 (必須): (英) Integrated Circuits (日) 集積回路工学 (読) しゅうせきかいろこうがく
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コース (必須): 1.2001/[徳島大学.工学部.知能情報工学科]/[夜間主コース] [継承]
担当教員 (必須): 1.赤松 則男
肩書 (任意):
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単位 (必須): 2 [継承]
目的 (必須): (英)   (日) 集積回路に関する基本的知識とその設計法を習得する. レポート,小試験を実施して集積回路の設計に必要な基礎的知識を習得する.   [継承]
概要 (必須): (英)   (日) パルスとその基本動作,パルス増幅回路の特性を説明し,MOS-FETを用いた論理回路を解説する. コンピュータのメモリとしてバイポーラ トランジスタおよびMOS-FETのS-RAM,D-RAM,ROMの回路と使用方法を解説する. ASICに代表される集積回路の設計は重要であるので詳細に説明し,学生自身で集積回路を設計する.   [継承]
キーワード (推奨):
先行科目 (推奨):
関連科目 (推奨):
要件 (任意):
注意 (任意):
目標 (必須):
計画 (必須): 1.(英)   (日) MOS型の電界効果トランジスタI(構造,動作原理,種類)  
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2.(英)   (日) MOS型の電界効果トランジスタ?(電圧·電流特性)·レポート  
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3.(英)   (日) MOS-FETを用いるインバータ回路I(種類,N-MOS)  
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4.(英)   (日) MOS-FETを用いるインバータ回路?(C-MOS)·レポート  
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5.(英)   (日) NAND論理回路  
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6.(英)   (日) NOR論理回路·レポート  
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7.(英)   (日) 3状態論理回路  
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8.(英)   (日) 中間試験  
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9.(英)   (日) 半導体メモリI(MOS-FETを用いるメモリ,RAM)  
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10.(英)   (日) 半導体メモリ?(P-RAM,バイポーラ メモリ)·レポート  
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11.(英)   (日) 集積回路の設計法·レポート  
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12.(英)   (日) プログラマブル ロジック アレイ(PLA)  
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13.(英)   (日) PLAを用いる設計例·小試験  
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14.(英)   (日) 集積回路システムの開発法  
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15.(英)   (日) 予備日  
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16.(英)   (日) 定期試験  
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評価 (必須): (英)   (日) 講義中に行う中間試験および小試験と試験期間中に行う定期試験とレポートの結果を考慮し,出席日数にも配慮して成績を照合的に評価する. 再試験は行う.   [継承]
対象学生 (任意):
教科書 (必須):
参考資料 (推奨): 1.(英)   (日) 安藤和昭「パルス·ディジタル回路」   [継承]
2.(英)   (日) 斉藤忠夫「電子回路入門」   [継承]
URL (任意):
連絡先 (推奨):
科目コード (推奨):
備考 (任意): 1.(英)   (日) 大学院でさらに高度な集積回路設計技術を学ぶための基礎的科目であるので,特に進学希望者は必ず習得する必要がある.   [継承]
2.(英)   (日) 成績評価に対する平常点と試験の比率は4:6とする. 平常点には講義への参加状況,演習の回答及びレポートの提出状況と内容を含み,試験には小試験及び最終試験の成績を含む.   [継承]

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和文冊子 ● 集積回路工学 / Integrated Circuits
欧文冊子 ● Integrated Circuits / 集積回路工学

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