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種別 (必須): 国内講演発表 [継承]
言語 (必須): 日本語 [継承]
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学究種別 (推奨):
組織 (推奨): 1.知的材料システム (2006年4月1日〜2016年3月31日) [継承]
2.量子物質科学 (2006年4月1日〜2016年3月31日) [継承]
著者 (必須): 1. (英) (日) 河道 修一 (読)
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学籍番号 (推奨):
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2. (英) (日) 住吉 和英 (読)
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学籍番号 (推奨):
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3. (英) (日) 月原 政志 (読)
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学籍番号 (推奨):
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4.西野 克志 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
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学籍番号 (推奨):
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5.直井 美貴 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.ポストLEDフォトニクス研究所]/[徳島大学.創成科学研究科.理工学専攻.電気電子システムコース(創成科学研究科).物性デバイス講座(創成科学研究科)]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座]/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.電気電子創生工学コース.物性デバイス講座]/[徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座])
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学籍番号 (推奨):
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6.酒井 士郎
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学籍番号 (推奨):
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題名 (必須): (英)   (日) 加工サファイア上に成長したAl0.07Ga0.93N薄膜の透過型電子顕微鏡による評価   [継承]
副題 (任意): (英) The dislocation measurement of in Al0.07Ga0.93N film on patterned sapphire substrate by TEM  (日)    [継承]
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発行所 (推奨):
誌名 (必須): (英) (日) 電気関係学会四国支部連合大会 (読)
ISSN (任意):
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(必須): 150 150 [継承]
都市 (必須): (英) (日) 高松市 (読) [継承]
年月日 (必須): 西暦 2005年 9月 28日 (平成 17年 9月 28日) [継承]
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和文冊子 ● 河道 修一, 住吉 和英, 月原 政志, 西野 克志, 直井 美貴, 酒井 士郎 : 加工サファイア上に成長したAl0.07Ga0.93N薄膜の透過型電子顕微鏡による評価, 電気関係学会四国支部連合大会, 150, 2005年9月.
欧文冊子 ● 河道 修一, 住吉 和英, 月原 政志, Katsushi Nishino, Yoshiki Naoi and Shiro Sakai : 加工サファイア上に成長したAl0.07Ga0.93N薄膜の透過型電子顕微鏡による評価, --- The dislocation measurement of in Al0.07Ga0.93N film on patterned sapphire substrate by TEM ---, 電気関係学会四国支部連合大会, 150, Sep. 2005.

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