『徳島大学 教育・研究者情報データベース (EDB)』---[学外] /
ID: Pass:

登録内容 (EID=141478)

EID=141478EID:141478, Map:0, LastModified:2009年11月10日(火) 15:08:00, Operator:[山田 美緒], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[西野 克志], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
種別 (必須): 国内講演発表 [継承]
言語 (必須): 日本語 [継承]
招待 (推奨):
審査 (推奨):
カテゴリ (推奨):
共著種別 (推奨):
学究種別 (推奨):
組織 (推奨): 1.知的材料システム (2006年4月1日〜2016年3月31日) [継承]
2.量子物質科学 (2006年4月1日〜2016年3月31日) [継承]
著者 (必須): 1. (英) (日) 山本 真美子 (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
[継承]
2.西野 克志 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
[継承]
3.直井 美貴 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.ポストLEDフォトニクス研究所]/[徳島大学.創成科学研究科.理工学専攻.電気電子システムコース(創成科学研究科).物性デバイス講座(創成科学研究科)]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座]/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.電気電子創生工学コース.物性デバイス講座]/[徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座])
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
[継承]
4.酒井 士郎
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
[継承]
題名 (必須): (英)   (日) フラックス法によるBP結晶成長   [継承]
副題 (任意): (英) Crystal Growth of BP by Flux Method  (日)    [継承]
要約 (任意):
キーワード (推奨):
発行所 (推奨):
誌名 (必須): (英) (日) 電気関係学会四国支部連合大会 (読)
ISSN (任意):
[継承]
(必須): [継承]
(必須): [継承]
(必須): 151 151 [継承]
都市 (必須): (英) (日) 高松市 (読) [継承]
年月日 (必須): 西暦 2005年 9月 28日 (平成 17年 9月 28日) [継承]
URL (任意):
DOI (任意):
PMID (任意):
NAID (任意):
WOS (任意):
Scopus (任意):
評価値 (任意):
被引用数 (任意):
指導教員 (推奨):
備考 (任意):

標準的な表示

和文冊子 ● 山本 真美子, 西野 克志, 直井 美貴, 酒井 士郎 : フラックス法によるBP結晶成長, 電気関係学会四国支部連合大会, 151, 2005年9月.
欧文冊子 ● 山本 真美子, Katsushi Nishino, Yoshiki Naoi and Shiro Sakai : フラックス法によるBP結晶成長, --- Crystal Growth of BP by Flux Method ---, 電気関係学会四国支部連合大会, 151, Sep. 2005.

関連情報

Number of session users = 2, LA = 1.34, Max(EID) = 372535, Max(EOID) = 996375.