『徳島大学 教育・研究者情報データベース (EDB)』---[学外] /
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登録内容 (EID=140874)

EID=140874EID:140874, Map:0, LastModified:2023年1月5日(木) 14:28:14, Operator:[三木 ちひろ], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[直井 美貴], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.電気電子工学科.電気電子工学科教員 [継承]
種別 (必須): 特許 [継承]
出願国 (必須): 1.日本国 [継承]
発明者 (必須): 1.酒井 士郎
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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2.直井 美貴 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.ポストLEDフォトニクス研究所]/[徳島大学.創成科学研究科.理工学専攻.電気電子システムコース(創成科学研究科).物性デバイス講座(創成科学研究科)]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座]/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.電気電子創生工学コース.物性デバイス講座]/[徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座])
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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3. (英) (日) チョイ ラクジュン (読) チョイ ラクジュン
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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出願人 (推奨): 1.徳島大学 [継承]
2. (英) (日) .三星電機 (読) さむそんでんき [継承]
名称 (必須): (英) method of growing non-polar a-plane gallium nitride  (日)    [継承]
要約 (任意):
キーワード (推奨):
出願 (必須): 2006-077492
出願年月日 (必須): 西暦 2006年 3月 20日 (平成 18年 3月 20日) [継承]
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開示 (必須):
番号 (必須):
年月日 (必須): 西暦 2006年 3月 3日 (平成 18年 3月 3日) [継承]
備考 (任意):

標準的な表示

和文冊子 ● Shiro Sakai, Yoshiki Naoi and チョイ ラクジュン : method of growing non-polar a-plane gallium nitride, 2006-077492 (March 2006), (開示), (番号) (March 2006).
欧文冊子 ● Shiro Sakai, Yoshiki Naoi and チョイ ラクジュン : method of growing non-polar a-plane gallium nitride, 2006-077492 (March 2006), (開示), (番号) (March 2006).

関連情報

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