『徳島大学 教育・研究者情報データベース (EDB)』---[学外] /
登録内容 (EID=140874)
EID=140874 | EID:140874,
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LastModified:2023年1月5日(木) 14:28:14,
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○組織 (推奨): | 1. | 徳島大学.工学部.電気電子工学科.電気電子工学科教員
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○種別 (必須): | □ | 特許
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○出願国 (必須): | 1. | 日本国
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○発明者 (必須): | 1. | 酒井 士郎
○役割 (任意): |
○貢献度 (任意): |
○学籍番号 (推奨): |
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| 2. | 直井 美貴 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.ポストLEDフォトニクス研究所]/[徳島大学.創成科学研究科.理工学専攻.電気電子システムコース(創成科学研究科).物性デバイス講座(創成科学研究科)]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座]/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.電気電子創生工学コース.物性デバイス講座]/[徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座])
○役割 (任意): |
○貢献度 (任意): |
○学籍番号 (推奨): |
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| 3. | (英) (日) チョイ ラクジュン (読) チョイ ラクジュン
○役割 (任意): |
○貢献度 (任意): |
○学籍番号 (推奨): |
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○出願人 (推奨): | 1. | 徳島大学
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| 2. | (英) (日) .三星電機 (読) さむそんでんき
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○名称 (必須): | □ | (英) method of growing non-polar a-plane gallium nitride (日)
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○要約 (任意): |
○キーワード (推奨): |
○出願 (必須): | □ | 2006-077492
○出願年月日 (必須): | □ | 西暦 2006年 3月 20日 (平成 18年 3月 20日)
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○開示 (必須): |
○番号 (必須): |
○年月日 (必須): | □ | 西暦 2006年 3月 3日 (平成 18年 3月 3日)
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○備考 (任意): |
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標準的な表示
和文冊子 ● |
Shiro Sakai, Yoshiki Naoi and チョイ ラクジュン : method of growing non-polar a-plane gallium nitride, 2006-077492 (March 2006), (開示), (番号) (March 2006). |
欧文冊子 ● |
Shiro Sakai, Yoshiki Naoi and チョイ ラクジュン : method of growing non-polar a-plane gallium nitride, 2006-077492 (March 2006), (開示), (番号) (March 2006). |
関連情報
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