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EID=140873EID:140873, Map:0, LastModified:2006年4月28日(金) 09:55:56, Operator:[森賀 俊広], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[森賀 俊広], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
種別 (必須): 国内講演発表 [継承]
言語 (必須): 日本語 [継承]
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学究種別 (推奨):
組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.化学応用工学科.化学プロセス工学講座 [継承]
2.徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座 [継承]
著者 (必須): 1. (英) Suketa Hiroshi (日) 助田 祐志 (読) すけた ひろし
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学籍番号 (推奨):
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2. (英) Nishimura Yusuke (日) 西村 勇介 (読) にしむら ゆうすけ
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学籍番号 (推奨):
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3. (英) Takita Keisuke (日) 瀧田 啓介 (読) たきた けいすけ
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学籍番号 (推奨):
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4. (英) Takada Daisuke (日) 高田 大輔 (読) たかだ だいすけ
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学籍番号 (推奨):
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5. (英) Shimomura Koji (日) 下村 幸司 (読) しもむら こうじ
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学籍番号 (推奨):
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6.富永 喜久雄
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学籍番号 (推奨):
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7.村井 啓一郎 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.応用化学系.化学プロセス工学分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.応用化学システムコース.化学プロセス工学講座])
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学籍番号 (推奨):
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8.森賀 俊広 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.応用化学系.化学プロセス工学分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.応用化学システムコース.化学プロセス工学講座])
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学籍番号 (推奨):
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題名 (必須): (英) Dependence of Ga2O3 Dopant Amount on Properties for ZnO-In2O3 Transparent Conducting Films  (日) ZnO-In2O3系透明導電膜における特性のGa2O3ドーパントの添加量依存性   [継承]
副題 (任意):
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発行所 (推奨):
誌名 (必須): (英) (日) 第53回応用物理学関連連合講演会 (読) だいごじゅうさんかいおうようぶつりがくかんけいれんごうこうえんかい
ISSN (任意):
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都市 (必須): 東京 (Tokyo/[日本国]) [継承]
年月日 (必須): 西暦 2006年 3月 23日 (平成 18年 3月 23日) [継承]
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和文冊子 ● 助田 祐志, 西村 勇介, 瀧田 啓介, 高田 大輔, 下村 幸司, 富永 喜久雄, 村井 啓一郎, 森賀 俊広 : ZnO-In2O3系透明導電膜における特性のGa2O3ドーパントの添加量依存性, 第53回応用物理学関連連合講演会, (巻), (号), (頁), 2006年3月.
欧文冊子 ● Hiroshi Suketa, Yusuke Nishimura, Keisuke Takita, Daisuke Takada, Koji Shimomura, Kikuo Tominaga, Kei-ichiro Murai and Toshihiro Moriga : Dependence of Ga2O3 Dopant Amount on Properties for ZnO-In2O3 Transparent Conducting Films, 第53回応用物理学関連連合講演会, (巻), (号), (頁), March 2006.

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