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種別 (必須): 学術レター (ショートペーパー) [継承]
言語 (必須): 英語 [継承]
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組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座 [継承]
著者 (必須): 1. (英) Okimoto Takashi (日) (読)
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学籍番号 (推奨):
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2. (英) Tsukihara Masashi (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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3. (英) Sumiyoshi Kazuhide (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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4. (英) Kataoka Ken (日) (読)
役割 (任意):
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学籍番号 (推奨):
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5.西野 克志 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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6.直井 美貴 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.ポストLEDフォトニクス研究所]/[徳島大学.創成科学研究科.理工学専攻.電気電子システムコース(創成科学研究科).物性デバイス講座(創成科学研究科)]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座]/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.電気電子創生工学コース.物性デバイス講座]/[徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座])
役割 (任意):
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学籍番号 (推奨):
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7.酒井 士郎
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学籍番号 (推奨):
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題名 (必須): (英) Effect of GaNP Buffer Layer on AlGaN Epilayers Deposited on (0001) Sapphire Substrates by Metalorganic Chemical Vapor Deposition  (日)    [継承]
副題 (任意):
要約 (任意): (英) AlxGa1-xN ($x eq 0.1$) epilayers grown on (0001) sapphire substrates by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition with low-temperature (LT)-GaNP buffer have been characterized using X-ray diffraction (XRD) and scanning electron microscopy (SEM). It is found that the full width at half maximum (FWHM) values of the GaNP-buffer-based AlxGa1-xN ($x eq 0.1$) epilayers decrease are lower than that of the conventional GaN-buffer-based AlxGa1-xN ($x eq 0.1$) epilayers, but the difference becomes smaller as the Al composition increases. These results could be mainly attributed to a longer diffusion length with the GaNP buffer layer than with the GaN buffer layer.  (日)    [継承]
キーワード (推奨): 1. (英) nucleation (日) (読) [継承]
2. (英) MOCVD (日) (読) [継承]
3. (英) XRD (日) (読) [継承]
発行所 (推奨): (英) INSTITUTE OF PURE AND APPLIED PHYSICS (日) Japan Society of Applied Physics (読) [継承]
誌名 (必須): Japanese Journal of Applied Physics, Part 2 (Letters) ([応用物理学会])
ISSN (任意):
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(必須): 45 [継承]
(必須): 8 [継承]
(必須): L236 L238 [継承]
都市 (任意):
年月日 (必須): 西暦 2006年 2月 初日 (平成 18年 2月 初日) [継承]
URL (任意): http://ci.nii.ac.jp/naid/150000013971/ [継承]
DOI (任意): 10.1143/JJAP.45.L236    (→Scopusで検索) [継承]
PMID (任意):
NAID (任意): 210000061816 [継承]
WOS (任意):
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標準的な表示

和文冊子 ● Takashi Okimoto, Masashi Tsukihara, Kazuhide Sumiyoshi, Ken Kataoka, Katsushi Nishino, Yoshiki Naoi and Shiro Sakai : Effect of GaNP Buffer Layer on AlGaN Epilayers Deposited on (0001) Sapphire Substrates by Metalorganic Chemical Vapor Deposition, Japanese Journal of Applied Physics, Part 2 (Letters), Vol.45, No.8, L236-L238, 2006.
欧文冊子 ● Takashi Okimoto, Masashi Tsukihara, Kazuhide Sumiyoshi, Ken Kataoka, Katsushi Nishino, Yoshiki Naoi and Shiro Sakai : Effect of GaNP Buffer Layer on AlGaN Epilayers Deposited on (0001) Sapphire Substrates by Metalorganic Chemical Vapor Deposition, Japanese Journal of Applied Physics, Part 2 (Letters), Vol.45, No.8, L236-L238, 2006.

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