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登録内容 (EID=13699)

EID=13699EID:13699, Map:0, LastModified:2023年1月17日(火) 15:46:57, Operator:[三木 ちひろ], Avail:TRUE, Censor:承認済, Owner:[[副研究部長]/[徳島大学.大学院社会産業理工学研究部]], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
○種別 (必須): □学術レター (ショートペーパー) [継承]
○言語 (必須):
○招待 (推奨):
○審査 (推奨):
○カテゴリ (推奨):
○共著種別 (推奨):
○学究種別 (推奨):
○組織 (推奨): 1.徳島大学.工学研究科.エコシステム工学専攻.資源循環工学講座 (〜2014年3月31日) [継承]
○著者 (必須): 1. (英) Wang Tao (日) (読)
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
[継承]
2. (英) Sugahara Tomoya (日) (読)
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
[継承]
3. (英) Sun Hong-Bo (日) (読)
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
[継承]
4. (英) Wang X Hong (日) (読)
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
[継承]
5. (英) Bai Jie (日) (読)
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
[継承]
6.酒井 士郎
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
[継承]
7.三澤 弘明 ([北海道大学])
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
[継承]
○題名 (必須): □(英) The Influence of Buffer Layer and Growth Temperature on the Quality of Undoped GaN Layer Grown Sapphire Substrate by Metal Organic Chemical Vepor Deposition  (日)    [継承]
○副題 (任意):
○要約 (任意):
○キーワード (推奨):
○発行所 (推奨):
○誌名 (必須): □Applied Physics Letters ([American Institute of Physics])
(resolved by 0003-6951)
ISSN: 0003-6951 (pISSN: 0003-6951, eISSN: 1077-3118)
Title: Applied physics letters
Title(ISO): Appl Phys Lett
Publisher: American Institute of Physics
 (NLM Catalog)   (Scopus)   (CrossRef)  (Scopus information is found. [need login])
(resolved by 1077-3118)
ISSN: 0003-6951 (pISSN: 0003-6951, eISSN: 1077-3118)
Title: Applied physics letters
Title(ISO): Appl Phys Lett
Publisher: American Institute of Physics
 (NLM Catalog)   (Scopus)   (CrossRef)  (Scopus information is found. [need login])

○ISSN (任意):
[継承]
○巻 (必須): □76 [継承]
○号 (必須): □16 [継承]
○頁 (必須): □2220 2222 [継承]
○都市 (任意):
○年月日 (必須): □西暦 2000年 1月 1日 (平成 12年 1月 1日) [継承]
○URL (任意):
○DOI (任意): □10.1063/1.126302    (→Scopusで検索) [継承]
○PMID (任意):
○CRID (任意):
○WOS (任意):
○Scopus (任意): □2-s2.0-0001503872 [継承]
○評価値 (任意):
○被引用数 (任意):
○指導教員 (推奨):
○備考 (任意):

標準的な表示

和文冊子 ● Tao Wang, Tomoya Sugahara, Hong-Bo Sun, Hong X Wang, Jie Bai, Shiro Sakai and Hiroaki Misawa : The Influence of Buffer Layer and Growth Temperature on the Quality of Undoped GaN Layer Grown Sapphire Substrate by Metal Organic Chemical Vepor Deposition, Applied Physics Letters, Vol.76, No.16, 2220-2222, 2000.
欧文冊子 ● Tao Wang, Tomoya Sugahara, Hong-Bo Sun, Hong X Wang, Jie Bai, Shiro Sakai and Hiroaki Misawa : The Influence of Buffer Layer and Growth Temperature on the Quality of Undoped GaN Layer Grown Sapphire Substrate by Metal Organic Chemical Vepor Deposition, Applied Physics Letters, Vol.76, No.16, 2220-2222, 2000.

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