『徳島大学 教育・研究者情報データベース (EDB)』---[学外] /
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登録内容 (EID=130148)

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種別 (必須): 国際会議 [継承]
言語 (必須): 英語 [継承]
招待 (推奨):
審査 (推奨):
カテゴリ (推奨):
共著種別 (推奨):
学究種別 (推奨):
組織 (推奨): 1.大阪府立大学 [継承]
2.徳島大学.工学部.光応用工学科.光機能材料講座 [継承]
著者 (必須): 1. (英) Inoue Naohisa (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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2. (英) Tanahashi K (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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3.森 篤史
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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題名 (必須): (英) Point defect behavior in growing silicon crystal  (日) CZ-Si結晶成長における点欠陥の挙動   [継承]
副題 (任意): (英)   (日) 応力・不純物の効果,表面と界面,温度勾配   [継承]
要約 (任意):
キーワード (推奨):
発行所 (推奨):
誌名 (必須): (英) Proceedings of Kazuza Akademia Park Forum on Science and Technology Silicon Materials '99 (日) (読)
ISSN (任意):
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(必須):
(必須):
(必須): 31 42 [継承]
都市 (必須): 千葉 (Chiba/[日本国]) [継承]
年月日 (必須): 西暦 1999年 11月 24日 (平成 11年 11月 24日) [継承]
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DOI (任意):
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被引用数 (任意):
指導教員 (推奨):
備考 (任意): 1.(英) Kazuza Akademia Park Forum on Science and Technology Silicon Materials '99, November 24-26, 1999  (日)    [継承]
2.(英)   (日) プロシーディングは日本語で書かれています.   [継承]

標準的な表示

和文冊子 ● Naohisa Inoue, K Tanahashi and Atsushi Mori : Point defect behavior in growing silicon crystal, Proceedings of Kazuza Akademia Park Forum on Science and Technology Silicon Materials '99, (巻), (号), 31-42, Chiba, Nov. 1999.
欧文冊子 ● Naohisa Inoue, K Tanahashi and Atsushi Mori : Point defect behavior in growing silicon crystal, Proceedings of Kazuza Akademia Park Forum on Science and Technology Silicon Materials '99, (巻), (号), 31-42, Chiba, Nov. 1999.

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