『徳島大学 教育・研究者情報データベース (EDB)』---[学外] /
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登録内容 (EID=130107)

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○種別 (必須): □国際会議 [継承]
○言語 (必須): □英語 [継承]
○招待 (推奨):
○審査 (推奨): □Peer Review [継承]
○カテゴリ (推奨):
○共著種別 (推奨):
○学究種別 (推奨):
○組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.光応用工学科.光機能材料講座 [継承]
2.三重大学 [継承]
○著者 (必須): 1. (英) Kasae Nobuhide (日) (読)
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
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2.森 篤史
○役割 (任意): □(英) presenter  (日)    [継承]
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
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3. (英) Toyama Tomoichiro (日) (読)
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
[継承]
4. (英) Ito Tomonori (日) (読)
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
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○題名 (必須): □(英) Searching the Boundary of Immiscbility Region of InGaN Semiconductor Alloy by Monte Carlo Simulations  (日)    [継承]
○副題 (任意):
○要約 (任意):
○キーワード (推奨):
○発行所 (推奨):
○誌名 (必須): □ (英) Abstract Book The 1st Asisn Conference in Crystal Growth and Crystal Technology (日) (読)
○ISSN (任意):
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○巻 (必須):
○号 (必須):
○頁 (必須): □573 574 [継承]
○都市 (必須): □仙台 (Sendai/[日本国]) [継承]
○年月日 (必須): □西暦 2000年 8月 31日 (平成 12年 8月 31日) [継承]
○URL (任意):
○DOI (任意):
○PMID (任意):
○NAID (任意):
○WOS (任意):
○Scopus (任意):
○評価値 (任意):
○被引用数 (任意):
○指導教員 (推奨):
○備考 (任意): 1.(英) The 1st Asisn Conference in Crystal Growth and Crystal Technolog (CGCT-1), August 29-September 1, 2000  (日)    [継承]
2.(英) T-P-139  (日)    [継承]

標準的な表示

和文冊子 ● Nobuhide Kasae, Atsushi Mori, Tomoichiro Toyama and Tomonori Ito : Searching the Boundary of Immiscbility Region of InGaN Semiconductor Alloy by Monte Carlo Simulations, Abstract Book The 1st Asisn Conference in Crystal Growth and Crystal Technology, (巻), (号), 573-574, Sendai, Aug. 2000.
欧文冊子 ● Nobuhide Kasae, Atsushi Mori, Tomoichiro Toyama and Tomonori Ito : Searching the Boundary of Immiscbility Region of InGaN Semiconductor Alloy by Monte Carlo Simulations, Abstract Book The 1st Asisn Conference in Crystal Growth and Crystal Technology, (巻), (号), 573-574, Sendai, Aug. 2000.

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