『徳島大学 教育・研究者情報データベース (EDB)』---[学外] /
ID: Pass:

登録内容 (EID=130107)

EID=130107EID:130107, Map:0, LastModified:2013年4月3日(水) 18:07:32, Operator:[森 篤史], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[森 篤史], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
種別 (必須): 国際会議 [継承]
言語 (必須): 英語 [継承]
招待 (推奨):
審査 (推奨): Peer Review [継承]
カテゴリ (推奨):
共著種別 (推奨):
学究種別 (推奨):
組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.光応用工学科.光機能材料講座 [継承]
2.三重大学 [継承]
著者 (必須): 1. (英) Kasae Nobuhide (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
[継承]
2.森 篤史
役割 (任意): (英) presenter  (日)    [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
[継承]
3. (英) Toyama Tomoichiro (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
[継承]
4. (英) Ito Tomonori (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
[継承]
題名 (必須): (英) Searching the Boundary of Immiscbility Region of InGaN Semiconductor Alloy by Monte Carlo Simulations  (日)    [継承]
副題 (任意):
要約 (任意):
キーワード (推奨):
発行所 (推奨):
誌名 (必須): (英) Abstract Book The 1st Asisn Conference in Crystal Growth and Crystal Technology (日) (読)
ISSN (任意):
[継承]
(必須):
(必須):
(必須): 573 574 [継承]
都市 (必須): 仙台 (Sendai/[日本国]) [継承]
年月日 (必須): 西暦 2000年 8月 31日 (平成 12年 8月 31日) [継承]
URL (任意):
DOI (任意):
PMID (任意):
NAID (任意):
WOS (任意):
Scopus (任意):
評価値 (任意):
被引用数 (任意):
指導教員 (推奨):
備考 (任意): 1.(英) The 1st Asisn Conference in Crystal Growth and Crystal Technolog (CGCT-1), August 29-September 1, 2000  (日)    [継承]
2.(英) T-P-139  (日)    [継承]

標準的な表示

和文冊子 ● Nobuhide Kasae, Atsushi Mori, Tomoichiro Toyama and Tomonori Ito : Searching the Boundary of Immiscbility Region of InGaN Semiconductor Alloy by Monte Carlo Simulations, Abstract Book The 1st Asisn Conference in Crystal Growth and Crystal Technology, (巻), (号), 573-574, Sendai, Aug. 2000.
欧文冊子 ● Nobuhide Kasae, Atsushi Mori, Tomoichiro Toyama and Tomonori Ito : Searching the Boundary of Immiscbility Region of InGaN Semiconductor Alloy by Monte Carlo Simulations, Abstract Book The 1st Asisn Conference in Crystal Growth and Crystal Technology, (巻), (号), 573-574, Sendai, Aug. 2000.

関連情報

Number of session users = 0, LA = 0.77, Max(EID) = 373281, Max(EOID) = 998586.