○種別 (必須): | □ | 先端技術科学教育部 (授業概要)
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○入学年度 (必須): | □ | 西暦 2006年 (平成 18年)
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○名称 (必須): | □ | (英) Lecture in Optical Materials and Devices, Part 2 (日) 光機能材料·光デバイス論2 (読) ひかりきのうざいりょう ひかりでばいすろん
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○形態 (推奨): | 1. | 講義
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○コース (必須): | 1. | 2006/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.光システム工学コース]/[博士前期課程]
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○担当教員 (必須): | 1. | 井上 哲夫
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○単位 (必須): | □ | 1
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○目的 (必須): | □ | (英) (日) 光学結晶の結晶成長について最近の話題や今後の展望について理解させる
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○概要 (必須): | □ | (英) Recent topics about the crystal growth of key materials are lectured. This lecture has a concern with the engineering of optics. (日) 光学結晶のキーマテリアルの育成条件について,最近の話題をまじえて講義する.この授業は工業に関する科目である.
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○キーワード (推奨): | 1. | 結晶成長 (crystal growth)
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| 2. | 光学結晶 (optical crystals)
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| 3. | (英) crystal growing techniques (日) 結晶育成技術 (読)
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| 4. | (英) crystal perfection (日) 結晶の完全性 (読)
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| 5. | エピタキシャル成長 (epitaxial growth)
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○先行科目 (推奨): | 1. | 結晶成長学特論 ([2006/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.光システム工学コース]/[博士前期課程]])
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○関連科目 (推奨): | 1. | 結晶成長学特論 ([2006/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.光システム工学コース]/[博士前期課程]])
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| 2. | 材料統計熱力学特論 ([2006/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.光システム工学コース]/[博士前期課程]])
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| 3. | 光デバイス ([2006/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.光システム工学コース]/[博士前期課程]])
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○要件 (任意): |
○注意 (任意): |
○目標 (必須): | 1. | (英) To understand the recent topics about crystal growth of optical materials (日) 光学結晶の成長に冠する最近の話題について理解する
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○計画 (必須): | 1. | (英) History of crystal growth (日) 結晶成長学の研究史
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| 2. | (英) Growth method of Si crystal (日) Siの結晶育成法
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| 3. | (英) Defects in Si crystal (日) Si中の欠陥について
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| 4. | (英) Crystal growth of semiconductor compounds (1) (日) 化合物半導体の結晶成長 (1)
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| 5. | (英) Crystal growth of semiconductor compounds (2) (日) 化合物半導体の結晶成長 (2)
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| 6. | (英) Crystal growth of oxides (日) 酸化物の結晶成長
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| 7. | (英) Crystal growth of organic materials (日) 有機材料の結晶成長
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| 8. | (英) Examination (日) 試験
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○評価 (必須): | □ | (英) Examination (20%), Attitude(20%) (日) 試験(80%),態度(20%)
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○再評価 (必須): |
○対象学生 (任意): | □ | 他学部,他大学学生も履修可能
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○教科書 (必須): | 1. | (英) Diistribution of teaching materials (日) プリント配布
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○参考資料 (推奨): |
○URL (任意): |
○連絡先 (推奨): | 1. | 井上 哲夫
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○科目コード (推奨): |
○備考 (任意): |