『徳島大学 教育・研究者情報データベース (EDB)』---[学外] /
ID: Pass:

登録内容 (EID=125247)

EID=125247EID:125247, Map:0, LastModified:2007年12月26日(水) 23:11:51, Operator:[大家 隆弘], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[[教務委員会委員]/[徳島大学.工学部.電気電子工学科]], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
種別 (必須): 先端技術科学教育部 (授業概要) [継承]
入学年度 (必須): 西暦 2006年 (平成 18年) [継承]
名称 (必須): (英) Advanced Theory of Electron Devices (日) 電子デバイス特論 (読) でんしでばいすとくろん
[継承]
形態 (推奨): 1.講義 [継承]
コース (必須): 1.2006/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.電気電子創生工学コース]/[博士前期課程] [継承]
担当教員 (必須): 1.大野 泰夫
肩書 (任意):
[継承]
単位 (必須): 2 [継承]
目的 (必須): (英) Understanding of deep levels in compound semiconductor electron device performances  (日) 化合物半導体のにおける深い準位の影響を理解する   [継承]
概要 (必須): (英) Semiconductor device physics for the analyses and design of semiconductor electron devices will be lectured. After teaching basic concepts of band diagram and fermi levels, carrier transport theory and device operation mechanisms will be presented. Various instable phenomena, which limit the device performance, will also be presented with theoretical backgrounds. The topics include, silicon, GaAs and GaN as semiconductor materials, and MOSFET. HEMT and HBT as electron devices. The lecture items are, 1 Band diagram, 2 Electron transport, 3 Short channel effects, 4 Impurity levels, 5 Deep traps, 6 Semi-insulating substrate, 7 HEMT, 8 Side-gating effect, 9 Drain-lag and DLTS, and 10 Surface states and breakdown.  (日) VLSIデバイスや超高速電子デバイスの動作の基礎となる半導体デバイス物理について学ぶ.バンド図やフェルミ準位の概念を勉強した後,電子デバイス動作の基本となるキャリア輸送現象をはじめ,動作性能を制約する各種不安定現象の理論的な説明を行う.半導体材料としてはシリコン,GaAs,GaNを,デバイスとしてはMOSFET,HEMT,HBTなどを題材として扱う.   [継承]
キーワード (推奨): 1. (英) band diagram (日) バンド図 (読) [継承]
2. (英) HEMT (日) HEMT (読) [継承]
先行科目 (推奨):
関連科目 (推奨):
要件 (任意):
注意 (任意):
目標 (必須): 1.(英) Draw band diagrams including deep levels in non-thermal equilibrium  (日) 深い準位を含む非平衡状態のバンド図が描ける  
[継承]
計画 (必須): 1.(英) Band Diagram  (日) バンド図  
[継承]
2.(英) Thermodynamics of Electron Transport  (日) 電子輸送の熱力学  
[継承]
3.(英) Short Channel Effects  (日) 短チャネル効果  
[継承]
4.(英) Impurity Levels  (日) 不純物準位  
[継承]
5.(英) Electrical Performance of Deep Levels  (日) 深い準位の挙動  
[継承]
6.(英) Semi-insulating Substrate  (日) 半絶縁性基板  
[継承]
7.(英) Hetero Junction Transistors  (日) ヘテロ接合トランジスタ  
[継承]
8.(英) Side-Gating Effect  (日) サイドゲート効果  
[継承]
9.(英) Drain Lag and DLTS  (日) ドレインラグとDLTS  
[継承]
10.(英) Surface Statesand Breakdown Voltage  (日) 表面準位とデバイスの耐圧  
[継承]
11.(英) Discussion  (日) まとめ  
[継承]
12.(英) Midterm Examination  (日) 中間試験  
[継承]
13.(英) Wide-Gap Semiconductors  (日) ワイドギャップ半導体  
[継承]
14.(英) AlGaN/GaN HFET  (日) AlGaN/GaN HFET  
[継承]
15.(英) Discussion  (日) まとめ  
[継承]
16.(英) Term Examination  (日) 試験  
[継承]
評価 (必須):
再評価 (必須):
対象学生 (任意):
教科書 (必須):
参考資料 (推奨):
URL (任意):
連絡先 (推奨): 1.大野 泰夫
オフィスアワー (任意):
[継承]
科目コード (推奨):
備考 (任意): 1.(英) This lecture will be given in English.  (日) 国際連携大学院担当教員科目のため英語授業となる場合がある.   [継承]

この情報を取り巻くマップ

(なし) 閲覧 【授業概要】(2006/電子デバイス特論) 閲覧 【授業概要】(2007/電子デバイス特論)

標準的な表示

和文冊子 ● 電子デバイス特論 / Advanced Theory of Electron Devices
欧文冊子 ● Advanced Theory of Electron Devices / 電子デバイス特論

関連情報

この情報を参照している情報

閲覧【教育プログラム】…(2) 閲覧【授業概要】…(4) 閲覧【担当授業】…(1)

この情報をマップしている情報

閲覧【授業概要】…(2)
Number of session users = 1, LA = 1.18, Max(EID) = 363102, Max(EOID) = 971966.